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新內(nèi)存芯片材料實(shí)現(xiàn)速度高于閃存千倍

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作者：時(shí)間：2006-12-13 來(lái)源：

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　　北京時(shí)間12月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì)近日表示，已開(kāi)發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料；與當(dāng)前常用的閃存相比，相變內(nèi)存運(yùn)行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。
　　據(jù)悉該新型材料為復(fù)合半導(dǎo)體合金。IBM納米科學(xué)部門(mén)資深經(jīng)理斯派克

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