圖4 “屏蔽”電路邏輯關(guān)系圖

　　4 電路仿真結(jié)果

　　將上述設(shè)計原理應(yīng)用于輸入電壓為5V、輸出電壓3.3V、最大輸出電流500mA、限制電流ILIMIT 800mA的LDO，使用CSMC 0.5 μm BiCMOS 工藝Cadencespectre 仿真工具，分別對改進前后的過流保護電路進行仿真。根據(jù)功率管特定的需要，設(shè)定延時電路延遲時間tMAX 為20 μ s，最大幅值電流IMAX 為3A。

　　圖5 中（a）曲線表示負載電流幅值和作用時間的關(guān)系，ILIMIT 和IMAX 分別為限制電流和最大幅值電流。圖5 中（b）、（c）和（d）曲線分別為采用傳統(tǒng)“中斷”模式、“屏蔽”模式以及“屏蔽+ 中斷”模式過流保護電路后LDO 的輸出電壓波形。

　　圖5（b）表示“中斷”模式在所有過流情況時都會關(guān)斷LDO。圖5（c）的“屏蔽”模式能屏蔽tMAX內(nèi)的過流信號，但同時也屏蔽了過流幅值超過IMAX的電流信號，只有在過流持續(xù)作用時間大于tMAX 時，LDO 才被關(guān)斷。圖5（d）的“屏蔽+ 中斷”模式下，電路只在過流信號持續(xù)作用時間小于tMAX 而且幅值不超過IMAX 時屏蔽掉過流信號，對于其他超過ILIMIT的過流信號，都將中斷LDO 運行。通過比較圖5 的（b）、（c）和（d）曲線可以得到，相對于圖5（b）的“中斷”模式，圖5（d）的“屏蔽+ 中斷”模式擴大了工作區(qū)范圍，又比圖5（c）的“屏蔽”模式保護電路更安全。傳統(tǒng)屏蔽電路都會在過流之后關(guān)斷LDO，我們希望在某些短時且小幅度過流信號下LDO 仍能正常運行。結(jié)果表明，設(shè)計后的過流保護電路能達到預(yù)期效果，保證系統(tǒng)更高效安全地運行。

圖5 LDO 整體電路的瞬態(tài)響應(yīng)

　　5 結(jié)論

　　在傳統(tǒng)的只采取“中斷”模式的過流保護電路基礎(chǔ)上，本文提出了一種新型過流保護電路設(shè)計方案，通過增加“屏蔽”模式，能有效屏蔽在設(shè)定最大過流幅值IMAX 和最大持續(xù)作用時間tMAX 內(nèi)的過流信號，而不影響其他過流情況的關(guān)斷。通過CSMC0.5μm BiCMOS工藝、Cadence spectre仿真，結(jié)果表明，改進后的過流保護電路能有效屏蔽過流幅值和持續(xù)作用時間在設(shè)定范圍內(nèi)的過流信號，增加了正常工作區(qū)的范圍，使LDO更高效運行，同時保留“中斷”模式，保證LDO 安全工作。