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            高電源抑制的基準源的設計方案

            作者: 時間:2011-08-04 來源:網絡 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/178787.htm

            但是,由于本采用LDO供電,而LDO的參考電壓是bg,存在死循環(huán),即bg低,則LDO低,所以核心的VQC5無法給VQCS2提供電流,也就無法提高VQC2的電壓即bg,因此需要外界提供大電流bias-start,使得當LDO無法啟動核心時,此電流可以足夠大,在RC4上產生的壓降使bg達到足夠大,繼而LDO達到使核心啟動所需的最低電壓,從而使電路進入自動修正狀態(tài),最終使bg和ref達到指定電壓。

              這樣雖然能啟動,但是,正常工作時,此大啟動電流bias-start將通過VQCS1和VQCS3流向地,增加了系統(tǒng)的負擔。因此,在電流輸出管MB3下加入控制管MBC,并使得在正常工作時,LDO的高電壓足以使MBC關斷,從而降低啟動電路的損耗。

              2 仿真與分析

              本次的仿真基于ASMC的1 μm的高壓BCD工藝。

              2.1 啟動仿真

              圖4是工藝角為tt,t=27℃時的啟動仿真,此基準需要3 μs就可建立正常狀態(tài),這是由于基準核心中的Cc1選取為比較小的2 pF的結果,這樣做的另一個結果就是中頻PSR有所降低,實際電路可根據需要選取Cc1的大小,如果需要中頻PSR較大,但對啟動時間要求較低時,可以選取大Cc1(如Cc1選取10pF,則最高PSR將降為-28dB,但啟動時間升至10μs)。LDO、ref、bg的啟動過程比較平穩(wěn),沒有過沖現(xiàn)象。

              MBC控制作用的簡述:在1μs時流過100μA的啟動電流,當LDO、ref、bg建立最低工作電壓后,啟動電路開始關斷過程,電流急劇減小,并最終在2μs時接近0A。整個電路正常運行時消耗的電流是266μA。

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