每次我們都使用簡(jiǎn)單的直流技術(shù)給一個(gè)熱源供電，這樣就可以以非侵入式方式測(cè)量熱敏感度的系數(shù)。我們對(duì)被測(cè)器件（IC，MOSFET和電感器）施加直流電壓和電流，迫使器件開(kāi)始消耗能量，然后測(cè)出Pj。然后我們使用熱成像攝像機(jī)測(cè)量表面溫度的？Ti，接著就可以用上面的等式（6）計(jì)算出Sij。

　　我們使用了新的方法學(xué)計(jì)算兩個(gè)降壓拓?fù)涞闹鳠嵩矗阂粋€(gè)使用SiC739D8 DrMOS IC的集成式功率級(jí)，和一個(gè)使用兩個(gè)MOSFET的分立式功率級(jí)，在分立式功率級(jí)中，Si7382DP在高邊，Si7192DP在低邊。

　　A.集成式降壓轉(zhuǎn)換器

圖1

　　圖1顯示了用于集成式降壓轉(zhuǎn)換器的EVB前端。這里有4個(gè)熱源：電感器（HS1），驅(qū)動(dòng)IC（HS2），高邊MOSFET（HS3）和低邊MOSFET（HS4）。SiC739 DrMOS是一個(gè)單芯片解決方案，其內(nèi)部包含的HS2、HS3和HS4靠得非常近。由于這里有4個(gè)熱源，因此S是一個(gè)4x4矩陣。

　　圖2顯示了當(dāng)?shù)瓦匨OSFET的體二極管是前向偏置時(shí)（AR0x Avg. => HSx），4個(gè)熱源的溫度。

　　如果 TA 為 23.3 ?C，那么，

（8）

　　測(cè)得的電流I4和電壓V4分別是2.14A和0.6589V。

　　P4 = I4?V4 = 1.41W （8）

　　使用公式（7）中的溫度信息，我們可以得到Si4，（i=1，2，3，4）

　　S14 = 5.82 （9）

　　S24 = 9.29

　　S34 = 9.5

　　S44 = 16.2

重復(fù)上述過(guò)程，可以得到如下的S矩陣。

然后解出S^-1,

　　試驗(yàn)結(jié)果：集成式降壓轉(zhuǎn)換器

　　現(xiàn)在我們可以給SiC739 EVB上電，并使用等式（5）和（11）來(lái)計(jì)算每個(gè)熱源的功率損耗。

　　P1 = 0.224W, 電感器 （12）

　　P2 = 0.431W, 驅(qū)動(dòng) IC

　　P3 = 0.771W, 高邊MOSFET

　　P4 = 0.512W, 低邊 MOSFET