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            有源箝位技術(shù)的PC電源設(shè)計(jì)

            作者: 時(shí)間:2011-08-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            摘要:自從箝位專利到期之后,鑒于此技尤的獨(dú)特優(yōu)勢,三家西方公司都推出了將其用于大功率及服務(wù)器的方案。其中ONSEMI的通過了80plus認(rèn)證。文中以NCP1282為版本,詳細(xì)論述了箝位的控制IC和功率器件選型注意事項(xiàng)以及設(shè)計(jì)時(shí)的參數(shù)調(diào)整,供設(shè)計(jì)人員參考。
            關(guān)鍵詞:箝位;同步整流;;NMOS

            對(duì)于控制IC的選擇,其高壓輸入的變換器推薦為NCP1282,低成本的可以選擇UC3843+UC3714,當(dāng)然也可選擇UCC2893(UCC2894)或其它。
            選定控制IC之后必須熟悉其外圍電路元件及其基本方框電路的特性,以下是一些器件的選擇及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),供參考。

            1 功率器件的選擇
            1.1 主功率MOSFET
            一般選擇VDS=(1.8~2)VINmax,這里選擇800V。
            通過計(jì)算,選MOS QMAIN,8~10A足夠,為留一定余量,可以選11~14A,選擇過大的MOS并非是最上策。在高輸入電壓時(shí),導(dǎo)通損耗不是太大,過大的MOS驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)加大,開關(guān)速度明顯變慢,會(huì)給200kHz時(shí)的ZVS帶來困難。
            選擇MOS時(shí)不僅根據(jù)電壓電流,還要在數(shù)據(jù)表中找出其Qg,RSDOX,ton,toff及Coss,并記錄下來。
            1.2 箝位MOS
            由于變壓器中磁能總量畢竟是有限的,所以箝位MOS QAUX耐壓仍選800V,電流只選擇QMAIN的1/3即可,但選擇Qg AUX小的MOS以便減小驅(qū)動(dòng)損耗,選擇好以后,記下其ton,toff及Coss,RDS(on)。
            1.3 同步整流MOS QF及QR的選取
            由于工作在PFC的400V相對(duì)穩(wěn)定的輸入電壓之后,占空比變化很小,基本控制在45~48%,所以QF及QR的電壓、電流選取很相象,可統(tǒng)一考慮。
            首先選擇耐壓,對(duì)于12V輸出時(shí)在45%的占空比之下,選擇60V MOSFET比較合適。它承受最高2.2倍的輸出電壓,加上開關(guān)時(shí)的尖峰電壓,并取20%的安全系數(shù),當(dāng)然也可以選50V的MOSFET。若VIN變化大,則按最壞情況考慮。
            對(duì)于MOS電流的選取,則主要按照導(dǎo)通電阻RSDON來考慮,以得到最高的整流效率,所以其IDS為輸出電流的四倍以上,必要時(shí)采用幾個(gè)MOSFET并聯(lián),以解決RSDON的問題。若按公式計(jì)算則要計(jì)入電感中的紋波電流。
            對(duì)于占空比較大的情況,兩個(gè)MOS QF及QR則要獨(dú)立計(jì)算,分別選取。
            1.4 輸出濾波電感的計(jì)算和設(shè)計(jì)
            輸出濾波電感在PC中,經(jīng)常是將12V與5V兩組合在一起繞制,為了提高兩輸出電壓的交叉調(diào)整率,還要提高它的耦合度。對(duì)輸出濾波電感因其直流成份為主,不用考慮導(dǎo)線的超膚效應(yīng),也不要考慮用過大的感量,以選擇好磁芯后將兩組電感都繞下為上策。一般?。?br />
            因此,考慮磁芯的飽合度時(shí),按(Iout+2△ILO)大小的電流處理。


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