最新全能數(shù)控電源IC-ADP1043A(二)
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2．11 調(diào)制限制
使用調(diào)制限制寄存器0*2E可以用于最大調(diào)制限制和最小調(diào)制限制，以限制任何PWM信號，這樣限制了PWM調(diào)制范圍，這些限制為開關(guān)周期的百分之幾。如果調(diào)制需要低于最小設(shè)置，脈沖跨越將使能。
下面的例子是如何使用調(diào)制限制的設(shè)置，在此例子中，開關(guān)周期是4μs，調(diào)制導通t2沿(下降沿)使能，正常t2位置設(shè)在1．6μs，是4μs周期的40％，調(diào)制高邊限制設(shè)在(正常-35％)，因此調(diào)制低限為(40～35％)=5％的開關(guān)周期，即0．2μs。GUI提供ADP1043A使用時，推薦如圖8所示。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/178770.htm
2．12 推薦的設(shè)置
在12V應(yīng)用時，在正常工作模式下：
* 在12VVoutOVP，采用精確的OrFET控制電路去關(guān)斷OrFET。
* Vout>OVP時，使用負載OVP去關(guān)斷OrFET，在12V應(yīng)用時輕載。
* 在12VVoutOVP時，用ACSNS去關(guān)斷OrFET。
* 當Vout>OVP時，用負載OVP去關(guān)斷OrFET。
在12V應(yīng)用是，內(nèi)部短路出現(xiàn)如下程序：
* 用快速OrFET關(guān)斷OrFET。
* 用CS1 OCP或者VS1 UVP去關(guān)斷電源并重新啟動。
2．13 OrFET操作實例
熱插入一個實際總線一個新的PSU加入到一個12V總線，內(nèi)部電壓VS1在OrFET導通前是上斜的，在OrFET導通后，PSU中的電流開始流向負載，在新PSU和總線之間的導通電壓閾值時可以調(diào)節(jié)的。
2．14 超速控制
一個總線上Rogue的PSU有一個故障條件，結(jié)果是總線電壓增加，到OVP閾值以上，好的PSU關(guān)斷OrFET，并調(diào)節(jié)其內(nèi)部電壓VS1，當Rogue電源故障條件移去時，總線電壓減小，好的PSU的OrFET會立即導通，好的PSU總是從VS3調(diào)節(jié)開始。
2．15 短路
當輸出整流器中的一個故障時。而OrFET沒及時關(guān)斷，則總線電壓能崩潰。快速的OrFET比較器要用于保護系統(tǒng)離開此故障，如圖9所示短路電路加到OrFET方面的輸出電容上。在快速OrFET閾值CS2處罰之后，OrFET關(guān)斷，在此情況下，柵驅(qū)動器，不是非?？齑蠹s有500ns，還顯示出短路故障移去之后工作的恢復，內(nèi)部調(diào)整率點VS1回到12V，OrFET重新使能，PSU再次開始給負載供電。
(未完待續(xù))
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