圖4 (b)為nLDMOS在漂移區(qū)注入劑量Nd=4e11cm-2時(shí)關(guān)態(tài)耐壓、開(kāi)態(tài)耐壓與漂移區(qū)長(zhǎng)度Ld(μm)的關(guān)系，以及在漂移區(qū)長(zhǎng)度Ld=15μm情況下關(guān)態(tài)耐壓、開(kāi)態(tài)耐壓與漂移區(qū)注入劑量Nd(cm-2)的關(guān)系。其他參數(shù)為：p型體區(qū)注入劑量5e13 cm-2，Psink注入劑量3e15 cm-2，N-buffer注入劑量1e13cm-2，溝道長(zhǎng)度3μm，柵極場(chǎng)板3．5μm。相對(duì)于pLDMOS，漂移區(qū)注入劑量和漂移區(qū)長(zhǎng)度對(duì)于開(kāi)態(tài)耐壓、關(guān)態(tài)耐壓的影響不大。同時(shí)關(guān)態(tài)耐壓都能維持在180V以上，但是開(kāi)態(tài)耐壓卻只有90～120V，不能滿足8～100V工作電壓(108V耐壓)的要求。nLDMOS開(kāi)態(tài)耐壓?jiǎn)栴}成為電路、器件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。
針對(duì)nLDMOS器件開(kāi)態(tài)耐壓低的問(wèn)題，有針對(duì)性地仿真了溝道長(zhǎng)度、多晶硅柵場(chǎng)板長(zhǎng)度及體區(qū)濃度對(duì)開(kāi)態(tài)耐壓的影響。圖5(a)為nLDMOS的關(guān)態(tài)耐壓、開(kāi)態(tài)耐壓及閾值與溝道長(zhǎng)度(Lch)的關(guān)系?？梢钥闯鰷系篱L(zhǎng)度對(duì)器件的開(kāi)態(tài)耐壓和關(guān)態(tài)耐壓影響很小。閾值隨著溝道長(zhǎng)度的增加而增加，這是由于采用橫向雙擴(kuò)散形成溝道，所以隨著溝道長(zhǎng)度增加，p型體區(qū)的濃度越來(lái)越大，閾值也就越來(lái)越大。圖5(b)為nLDMOS的關(guān)態(tài)耐壓、開(kāi)態(tài)耐壓及閾值與多晶硅柵極場(chǎng)板長(zhǎng)度(LPgate)的關(guān)系。在柵極場(chǎng)板較長(zhǎng)時(shí)，其對(duì)閾值和關(guān)態(tài)耐壓影響很小，當(dāng)柵極場(chǎng)板縮短到多晶硅柵不能覆蓋溝道時(shí)，器件的開(kāi)態(tài)耐壓大幅增加。這時(shí)閾值也迅速增加。雖然多晶硅柵不能完全覆蓋溝道，但是由于開(kāi)態(tài)時(shí)nLDMOS的柵漏電壓差很大，所以仍然能夠在表面形成反型層溝道。因此，大幅減短?hào)艠O場(chǎng)板能有效提高器件的開(kāi)態(tài)耐壓，但是同時(shí)也帶來(lái)了器件不能有效開(kāi)啟的問(wèn)題。圖5(c)為nLDMOS的關(guān)態(tài)耐壓、開(kāi)態(tài)耐壓及閾值與體區(qū)注入劑量(Pbody)的關(guān)系?？梢钥闯鲈黾芋w區(qū)的注入劑量對(duì)器件的耐壓影響很小。但是隨著注入劑量的增加，體區(qū)濃度增加，所以閾值就增加，同時(shí)器件的開(kāi)態(tài)耐壓也隨之增加。當(dāng)體區(qū)注入劑量達(dá)到5e14cm-2時(shí)，閾值增加緩慢，開(kāi)態(tài)耐壓卻大幅增加，所以只能通過(guò)閾值上的犧牲來(lái)改善nLDMOS的開(kāi)態(tài)擊穿耐壓。