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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計

            基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計

            作者: 時間:2011-09-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            耗盡型NMOS管閾值電壓為負(fù)值,在VGS=0時也處于工作狀態(tài),該特性可有效降低其工作電壓及功耗。因而,該基準(zhǔn)電路中利用串聯(lián)的耗盡型NMOS管MN1-MN4、串聯(lián)的增強型NMOS管MN5-MN9、MN11-MN12和電阻R1、R2構(gòu)成VGS的基準(zhǔn)電壓電路,該基準(zhǔn)電路的輸出為檢測比較器反相端的基準(zhǔn)電壓信號VREF。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/178653.htm

              由于本電路中耗盡管閾值電壓為負(fù)值,且柵源電壓恒為0,故耗盡型管始終工作在飽和區(qū)。且其電流值恒定為:

              

              同時為滿足該電路低功耗的要求,應(yīng)盡可能使電路中增強性管工作在亞閾值區(qū)。如圖3所示,襯偏效應(yīng)和源極電位的升高,MN5管工作于亞閾值區(qū)。

              

              



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