基于DDS的超聲波電機(jī)測(cè)試電源設(shè)計(jì)
引言
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/178544.htm超聲波電機(jī)(USM)具有能夠直接輸出低轉(zhuǎn)速大力矩,瞬態(tài)響應(yīng)快(可達(dá)ms量級(jí))、定位精度高(可達(dá)nm量級(jí)),無(wú)電磁干擾等諸多優(yōu)點(diǎn)。USM的運(yùn)行需要有兩路具有一定幅值,相位上正交(或可調(diào)),頻率在20 kHz以上的高頻交流電源。驅(qū)動(dòng)信號(hào)源的幅值、頻率及相位直接影響USM的性能。為便于USM的性能測(cè)試及研究,需要提供一種在幅值、頻率、相位上均可調(diào)的測(cè)試電源。以往的超聲波驅(qū)動(dòng)器多采用分立器件構(gòu)成如文獻(xiàn),其電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。文獻(xiàn)雖然改用FPGA或CPLD生成,但所生成的信號(hào)頻率變化是不連續(xù)的。文獻(xiàn)是用單片機(jī)和專(zhuān)用的DDS芯片,存在抗干擾性差,可靠性低的弊端。
本文介紹了基于DLL數(shù)字頻率直接合成技術(shù)(DDS)用ALTERA公司的FPGA器件和VHDL語(yǔ)言編程,按相位累加的方法產(chǎn)生兩相四路頻率相位可調(diào)的高頻PWM信號(hào),經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)電路、光耦隔離電路作為外部功率控制電路H橋的四個(gè)閘門(mén)驅(qū)動(dòng)信號(hào),H橋主回路接入的是對(duì)市電經(jīng)調(diào)壓、隔離、整流及濾波后的直流電。由閘門(mén)驅(qū)動(dòng)信號(hào)對(duì)該直流電進(jìn)行通斷控制,形成可調(diào)幅值、頻率、相位差的兩相高頻PWM波的交流信號(hào),再經(jīng)外加電感平滑,將PWM波信號(hào)變成類(lèi)正弦波信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)USM的性能測(cè)試。
1 功率控制電路
如圖1所示,加于USM的A、B兩相交流信號(hào)是由FPGA產(chǎn)生的四路脈沖信號(hào)控制MOS管開(kāi)關(guān)對(duì)整流濾波后直流電進(jìn)行通斷控制,在圖1所示H橋逆變器的作用下,將直流電逆變?yōu)榕c逆變器開(kāi)關(guān)頻率相同的矩形波交流電,經(jīng)串聯(lián)電感平滑,就得到了USM所需的兩相高頻類(lèi)正弦波信號(hào)。該信號(hào)可由主回路的調(diào)壓器調(diào)節(jié)幅值,A、B兩相的相位差取決于H橋兩側(cè)閘門(mén)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位差,即閘門(mén)S1與S2(或S3與S4)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位差。同側(cè)橋臂不能同時(shí)導(dǎo)通,以避免大電流通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)管而損壞開(kāi)關(guān)管,理論上同側(cè)的兩個(gè)控制信號(hào)應(yīng)該相位互補(bǔ),實(shí)現(xiàn)推挽輸出,考慮到開(kāi)關(guān)器件的延時(shí)特性,該信號(hào)開(kāi)啟閘門(mén)時(shí)要有一定的延時(shí),即死區(qū)時(shí)間。鑒于以上分析及USM性能測(cè)試的需求,閘門(mén)控制信號(hào)應(yīng)具有頻率、相位、死區(qū)時(shí)間均可調(diào)的占空比大于50%的PWM高頻波。
評(píng)論