新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設計
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2．4 讀／寫仿真
為了進一步驗證新型6T-SRAM讀／寫功能的正確性，以及與傳統(tǒng)6T-SRAM單元的比較，采用HSpice對兩種管子進行了讀／寫仿真。如圖4-圖7所示。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/178360.htm
新型6T-SRAM存儲單元的讀／寫仿真表明，單個存儲單元的讀／寫時間在0．2 ns內(nèi)，符合存儲器在高速狀態(tài)下運行的需要。
3 結(jié)語
本文提出一種新型的SRAM單元，新型6T-SRAM單元有兩個單獨的數(shù)據(jù)訪問機制，一個是讀操作，另外一個是寫操作。而且，SRAM單元設計不干擾存儲節(jié)點的讀操作過程。該SRAM單元是在0．18μm工藝下仿真的，新型SRAM采用漏電流保持技術(shù)，從而不需要刷新來維持數(shù)據(jù)，并且仿真顯示功耗比較傳統(tǒng)SRAM低了很多，讀／寫速度方面比傳統(tǒng)SRAM慢了一點，但是這是在可以接受的范圍內(nèi)。
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