先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求
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1.帶驅(qū)動器和MOSFET的分立式解決方案現(xiàn)在仍在普遍使用。為滿足所有設(shè)計要求,現(xiàn)在飛兆半導(dǎo)體提供的采用小尺寸熱性能增強型MLP(QFN) 封裝的產(chǎn)品,可獲得高系統(tǒng)性能。MOSFET實現(xiàn)了首先采用MLP封裝(見圖3所示)。其Power56和Power33產(chǎn)品系列采用最新的PowerTrench技術(shù),能夠同時提供超低RDSon 和低Qg,從而適用于高開關(guān)頻率應(yīng)用。鍵合技術(shù)可減小封裝的電感 ,提高封裝有限的ID ,適用于大電流應(yīng)用。其低端FET產(chǎn)品組合采用SyncFET集成了肖特基二極管 ,在實現(xiàn)高開關(guān)性能的同時降低了熱耗。
FDMS9600S在一個不對稱的Power56封裝內(nèi)集成了一個高端FET和一個低端SyncFET,可進(jìn)一步提高熱性能,并實現(xiàn)小尺寸的緊湊型PCB設(shè)計 (圖4)。
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