EGATE=0.76nC×4.5V=3.4nJ

ET(rising)=((12V-5V)×0.5A×7ns)/2=12.25nJ

ET(falling)=((12V-5V)×0.5A×2.5ns)/2=4.3nJ

ECON=(0.5)2×300mW×1/(2×1MHz)=37.5nJ.

導通電阻的損耗仍然占主要地位，但是每周的總功耗僅57.45nJ。這就是說，高RDSON（超過4倍）的MOSFET使總功耗減少了7%以上。如上所述，可以通過選擇導通電阻及其它MOSFET參數(shù)來提高SMPS的效率。

到目前為止，對低導通電阻MOSFET的需求并沒有改變。大功率的SMPS傾向于使用低開關(guān)頻率，所以MOSFET的低導通電阻對提高效率非常關(guān)鍵。但對便攜設(shè)備，需要使用小體積的SMPS，此時的SMPS工作在較高的開關(guān)頻率，可以用更小的電感和電容。延長電池壽命必須提高SMPS效率，在高開關(guān)頻率下，低導通電阻MOSFET未必是最佳選擇，需要在導通電阻、柵極電荷、柵極上升/下降時間等參數(shù)上進行折中考慮。