3．2 全橋軟開關(guān)的工作原理
逆變電路采用軟開關(guān)全橋逆變電路，由4個(gè)IGBT開關(guān)管(VT1～VT4)，4個(gè)反并聯(lián)二極管(VD1～VD4和外加IGBT吸收電容C3，C4組成，L4為諧振電感，C12為阻斷電容。其控制原理與常規(guī)移相PWM控制原理相同，在大范圍內(nèi)也是PWM控制。IGBT驅(qū)動(dòng)波形如圖3所示。

在t0時(shí)刻前，VT1，VT4兩個(gè)IGBT導(dǎo)通，此時(shí)電流由A流向B，在t0時(shí)刻，VT1提前關(guān)斷，此時(shí)電容C3，C4開始充放電，此時(shí)VT2的管壓降迅速降低，由于C3，C4容量極小，故在很短的時(shí)間內(nèi)(t2時(shí)刻到來(lái)前)，VT2的管壓降降為零，與其并聯(lián)的逆導(dǎo)二極管VD2導(dǎo)通，此時(shí)電流流向?yàn)镃4→L4→C12→T1→VT4，由于初級(jí)電流衰減，流過VD2的電流也迅速降為零，飽和電感L4阻斷電流反向增加，同時(shí)阻斷電容C12上的電壓迅速升高，使初級(jí)電流保持為零。故在t1時(shí)刻，滯后臂上的VT4是在零電流狀態(tài)下關(guān)斷的；在t2時(shí)刻，VT2在零電壓、零電流狀態(tài)下導(dǎo)通。同理，在t3時(shí)刻，VT2提前關(guān)斷，C3，C4又一次開始充放電，此時(shí)電流流向是VT3→T1→C12→L4→C4，在極短的時(shí)間內(nèi)C4充電完成，其電壓與前端的正電壓相等，此時(shí)L4再次反方向的產(chǎn)生阻斷電流，阻斷電容此時(shí)反方向充電，產(chǎn)生反方向高壓來(lái)阻止初級(jí)電流，故在t4時(shí)刻，滯后臂上的VT3在零電流狀態(tài)下關(guān)斷；在t5時(shí)刻，VT1在零電壓、零電流狀態(tài)下導(dǎo)通。
綜上所述，超前臂實(shí)現(xiàn)零電流零電壓開關(guān)(ZVZCS)，滯后臂實(shí)現(xiàn)零電流開關(guān)，從而整個(gè)軟開關(guān)逆變電路實(shí)現(xiàn)了ZVZCS。