表1 SAR ADC測(cè)試結(jié)果

3 電路仿真與芯片測(cè)試

　　利用Cadence AMS作為仿真工具，對(duì)SAR ADC進(jìn)行了功能仿真，采用FFT 法分析ADC 的動(dòng)態(tài)性能，得到的頻譜圖如圖4 所示。仿真所得信噪失真比（SNDR）為60.472,dB.

圖4 電路仿真的FFT頻譜

　　基于Chartered 0.35,μm,2P4M 工藝，完成了電路的版圖設(shè)計(jì)，其中單位電容均采用工藝偏差相對(duì)較小的poly-poly 電容。圖5 給出了經(jīng)MPW 流片SARADC 芯片圖。由于電路的非線性與電路的元件匹配有關(guān)，其匹配性越好，其線性度越高，因此版圖設(shè)計(jì)中采用了一系列手段以提高電容陣列的匹配性，包括采用共質(zhì)心結(jié)構(gòu)布置版圖，降低因芯片面積加大帶來(lái)的氧化層梯度的影響；電容陣列周邊采用虛擬結(jié)構(gòu)；單位電容采用固定的周長(zhǎng)/面積比等。對(duì)比表1中的無(wú)失真動(dòng)態(tài)范圍參數(shù)，可以看出線性度提高了11.78%.

圖5 SAR ADC芯片

　　使用TeKtronix TLA5204B 邏輯分析儀和TDS3052B 示波器等工具對(duì)MPW 流片回來(lái)的芯片進(jìn)行了測(cè)試。圖6 給出了D/A 的測(cè)試結(jié)果，其中EOB 為轉(zhuǎn)換結(jié)束信號(hào)，dac_out 為D/A 輸出信號(hào)；SAR ADC在250,kHz 的轉(zhuǎn)換速率下的實(shí)測(cè)積分非線性（Integralnonlinearity,INL）誤差和微分非線性（differnetialnonlinearity,DNL）誤差特性曲線[14]如圖7 所示。

圖6 D/A的測(cè)試結(jié)果

圖7 SAR ADC的INL和DNL的實(shí)測(cè)曲線

　　表1 顯示了10 位SAR ADC 的整體性能。比較流片后測(cè)試結(jié)果和仿真結(jié)果可見所設(shè)計(jì)的SAR ADC較好地達(dá)到了低功耗的設(shè)計(jì)要求，性能良好。

　　4 結(jié) 語(yǔ)

　　完成了一款基于開關(guān)邏輯結(jié)構(gòu)的SAR ADC 設(shè)計(jì)。其中的D/A 轉(zhuǎn)換器由溫度計(jì)碼的開關(guān)邏輯結(jié)構(gòu)來(lái)控制，從而減小了開關(guān)的動(dòng)作頻率，降低了整個(gè)系統(tǒng)的功耗。測(cè)試結(jié)果顯示，設(shè)計(jì)的SAR ADC 實(shí)現(xiàn)了10 位模數(shù)轉(zhuǎn)換功能，轉(zhuǎn)換速率為250 kHz,INL 和DNL 均小于1 個(gè)LSB,功耗小于2 mW,表明該電路較好地達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。