如圖4所示，MOSFET上橋高端驅(qū)動，由于MOSFET分布電容的存在，對IRF4905的充放電過程都要經(jīng)過一個2 kΩ電阻。這樣就不能在門極-源極之間對電容Ciss進(jìn)行快速的充放電，不能活用MOSFET的高速開關(guān)性能。改進(jìn)方案如圖5所示，首先采用自舉電路這樣既可以確保門極-源極之間的電壓在IRF4905的承受范圍之內(nèi)，又有利于電壓的穩(wěn)定。第二采用了推挽電路，利用NPN／PNP型晶體管的互補推挽電路，提高門極電流的驅(qū)動能力。充放電1，2過程不用經(jīng)過比較大的電阻，直接加速電容的充電過程。
下橋的驅(qū)動如圖5所示，比較圖4可以發(fā)現(xiàn)其中增加了一反向二極管和一個加速電容。串聯(lián)柵極電阻可以使任何MOSFET輸入電容和所有柵源電路中的串聯(lián)引線電感引起的高頻振蕩得以衰減，如果進(jìn)入底部驅(qū)動輸出的負(fù)電流超過50 mA則需要二極管。使用附加電容，圖騰柱式輸出可以增強晶體管截止提供負(fù)基極電流。

6 MC33035與MC33039中RT／CT參數(shù)的選擇
MC33035中的RT／CT參數(shù)用于調(diào)整MC33035芯片的工作頻率，每個振蕩周期由基準(zhǔn)電壓VREF經(jīng)RT向CT充電，然后CT上電荷通過內(nèi)部一個晶體管迅速放電而形成鋸齒波振蕩信號。其工作頻率的設(shè)定由圖6做具體說明。

由圖6可以看出當(dāng)工作頻率過高，PWM調(diào)節(jié)時，下橋的開關(guān)速度過高，上升沿和下降沿占整個波型的比列大，損失的能量多，則發(fā)熱量就大。當(dāng)工作頻率過低，如圖4，圖5所示，整個PWM調(diào)節(jié)中關(guān)斷時間太長，容易產(chǎn)生電機波動。所以必須調(diào)整RT／CT使得MC33035的工作頻率符合設(shè)計要求。
MC33039中的RT／CT參數(shù)決定著F／V轉(zhuǎn)換的對應(yīng)列表，對應(yīng)表一旦確定，速度控制就按照一定的比列執(zhí)行，所以要求其中的電阻電容的穩(wěn)定性要好，精度要高，而一般的貼片陶瓷電容熱穩(wěn)定性比較差，容易造成溫漂，所以這里選擇了CBB電容，溫度系數(shù)很小。

7 結(jié)語
在實際的電路設(shè)計過程中，要根據(jù)設(shè)計需要參數(shù)調(diào)整每一個元器件，使得電路符合設(shè)計的需要，數(shù)據(jù)手冊中的各類參數(shù)只是提供一種設(shè)計參考，不能照搬照抄。因為芯片設(shè)計者只是在一定情況下做的實驗，得到的實驗參數(shù)，不可能滿足所有應(yīng)用者的要求。