如圖6（a）所示，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。導通時隔離變壓器上的電壓為（1－D）Ui、關(guān)斷時為DUi，若主功率管S可靠導通電壓為12V，則隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/（1－D）/Ui。為保證導通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。實驗波形見圖7（a）。該電路具有以下優(yōu)點：

　?、?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/電路">電路結(jié)構(gòu)較簡單可靠，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化。

　?、谠撾娐分恍枰粋€電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時提供一個負壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。

　　表1不同占空比時toff的變化情況

　　但該電路所存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當D較小時，負向電壓小， 該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。當D大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負向電壓，此時應(yīng)該注意使其負電壓值不超過MOSFET柵極的允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。

　　6（b）為占空比大于0.5時適用的驅(qū)動電路，其中Z2為穩(wěn)壓二極管，此時副邊繞組負電壓值較大，Z2的穩(wěn)壓值為所需的負向電壓值，超過部分電壓降在電容C2上，其實驗波形見圖7（b）。