2．4 反饋輸入電路恒壓(CV)模式
反饋輸入電路的參考電壓為1．70V，當(dāng)FB引腳上的電壓達(dá)到1．70V時(shí)，在反饋電路輸出上則產(chǎn)生一個(gè)低邏輯電平(禁止)，并且在每一個(gè)周期開(kāi)始時(shí)被采樣。如果反饋電路輸出高電平，MOSFET則導(dǎo)通(使能)，否則關(guān)斷(禁止)。由于采樣在每一個(gè)周期開(kāi)始時(shí)完成，在剩余周期部分被忽略期間，引腳FB上的電壓將發(fā)生變化。
2．5 全方位保護(hù)
(1)輸出功率限制
當(dāng)FB引腳上的電壓滿載并降至1．70V以下時(shí)，將自動(dòng)啟動(dòng)0．9V的門限電壓，振蕩器頻率降低40％，該功能限制電源輸出電流和功率。
(2)BP引腳欠電壓／過(guò)電壓保護(hù)
當(dāng)器件BP引腳上電壓洚至4．85V以下時(shí)，功率MOSFET則停止開(kāi)關(guān)。當(dāng)BP引腳上電壓上升到5．85V時(shí)，功率MOSFET將導(dǎo)通使能。
如果器件引腳BP上電壓升至6．45V以上，鎖存器將置位，MOSFET則停止開(kāi)關(guān)。為復(fù)位鎖存器，引腳BP上的電壓必須拉低到1．5V以下。
(3)過(guò)溫度保護(hù)
當(dāng)芯片溫度超過(guò)142°時(shí)，功率MOSFET被禁止運(yùn)行。一旦芯片溫度降至72℃以下，MOSFET重新使能。
(4)電流限制
器件的電流限制電路檢測(cè)MOSFET電流，一旦該電流超過(guò)內(nèi)部門限電平，MOSFET將截止。在MOSFET導(dǎo)通后265ns的短時(shí)間內(nèi)，前沿消隱(LE B)電路禁止電流限制比較器操作。前沿消隱時(shí)間(265ns)保證電容和整流二極管反向恢復(fù)期間引起的電流尖峰不會(huì)過(guò)早終止MOSFET導(dǎo)通。
(5)引腳FBh的開(kāi)環(huán)保護(hù)
當(dāng)檢測(cè)到在器件引腳FB上的開(kāi)環(huán)故障時(shí)，內(nèi)部電流源將引腳FB上的電壓上拉到1．70V以上，器件則停止開(kāi)關(guān)，并在160個(gè)周期之后進(jìn)入掉電模式。
(6)自動(dòng)重啟動(dòng)
當(dāng)出現(xiàn)輸出短路等故障時(shí)，LinkZero-AX則進(jìn)入自動(dòng)重啟動(dòng)操作。每當(dāng)引腳FB上的電壓超過(guò)0．9V的自動(dòng)重啟動(dòng)門限時(shí)，振蕩器復(fù)位，內(nèi)部計(jì)數(shù)器計(jì)時(shí)。如果FB引腳上電壓低于0．9V持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于145ms到1.70ms(取決于AC線路電壓)，MOSFET將停止開(kāi)關(guān)。在典型12％的占空比上，自動(dòng)重啟動(dòng)使MOSFET開(kāi)關(guān)交替使能和禁止，直到故障解除為止。