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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 羅姆開發(fā)出高溫環(huán)境下無熱失控超低IR肖特基勢壘二極管

            羅姆開發(fā)出高溫環(huán)境下無熱失控超低IR肖特基勢壘二極管

            作者: 時間:2012-06-27 來源:網(wǎng)絡 收藏

            21ic訊 近日面向車載、電源設備,下亦可使用的基勢壘“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流相比,可降低約40%的功耗,非常有助于電動車(EV)和混合動力車(HEV)等要求更低功耗的電路節(jié)能。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/176845.htm

            本產(chǎn)品已從1月份開始銷售樣品(樣品價格50~200日元/個),從5月份開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模進行量產(chǎn)。關于生產(chǎn)基地,前期工序在ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山縣),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰國)、ROHM Korea Corporation(韓國)進行。

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            下使用的車載、電源設備的電路中,由于擔心熱,因此普遍采用整流和快速恢復二極管(FRD)。但是由于整流二極管和FRD的VF值較高,因此很難實現(xiàn)EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下,VF值較低的基勢壘二極管(SBD)在下亦可安全使用的產(chǎn)品的開發(fā)需求逐年高漲。

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            此次,通過采用最適合高溫環(huán)境的金屬,實現(xiàn)了業(yè)界頂級低化。與傳統(tǒng)的SBD相比,降低到約1/100,使高溫環(huán)境下的使用成為可能。

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