所以根據(jù)這個(gè)我們從波形圖中可以看到，當(dāng)MOS開(kāi)通時(shí)，次級(jí)電流還沒(méi)有降到零。而MOS開(kāi)通時(shí)，初級(jí)電流并不是從零開(kāi)始上升，故而，這個(gè)例子中的電路是工作在CCM模式的。我們說(shuō)過(guò)，CCM模式是能量不完全轉(zhuǎn)移的。也就是說(shuō)，儲(chǔ)存在磁芯中的能量是沒(méi)有完全釋放的。但進(jìn)入穩(wěn)態(tài)后，每周期MOS開(kāi)通時(shí)新增儲(chǔ)存能量是完全釋放到次級(jí)的。否則磁芯會(huì)飽和的。

　　在上面的電路中，如果我們?cè)龃筝敵鲐?fù)載的阻值，降低輸出電流，可以是電路工作模式進(jìn)入到DCM狀態(tài)。為了使輸出電壓保持不變，MOS的驅(qū)動(dòng)占空比要降低一點(diǎn)。其他參數(shù)保持不變。

　　同樣，設(shè)定瞬態(tài)掃描，時(shí)間10ms，步長(zhǎng)10ns，看看穩(wěn)態(tài)時(shí)的波形吧：

　　t0時(shí)刻，MOS開(kāi)通，初級(jí)電流線性上升。

　　t1時(shí)刻，MOS關(guān)斷，初級(jí)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)耦合到次級(jí)向輸出電容轉(zhuǎn)移能量。漏感在MOS上產(chǎn)生電壓尖峰。輸出電壓通過(guò)繞組耦合，按照匝比關(guān)系反射到初級(jí)。這些和CCM模式時(shí)是一樣的。這一狀態(tài)維持到t2時(shí)刻結(jié)束。

　　t2時(shí)刻，次級(jí)二極管電流，也就是次級(jí)電感電流降到了零。這意味著磁芯中的能量已經(jīng)完全釋放了。那么因?yàn)槎茈娏鹘档搅肆悖O管也就自動(dòng)截止了，次級(jí)相當(dāng)于開(kāi)路狀態(tài)，輸出電壓不再反射回初級(jí)了。由于此時(shí)MOS的Vds電壓高于輸入電壓，所以在電壓差的作用下，MOS的結(jié)電容和初級(jí)電感發(fā)生諧振。諧振電流給MOS的結(jié)電容放電。Vds電壓開(kāi)始下降，經(jīng)過(guò)1/4之一個(gè)諧振周期后又開(kāi)始上升。由于RCD箝位電路的存在，這個(gè)振蕩是個(gè)阻尼振蕩，幅度越來(lái)越小。

　　t2到t3時(shí)刻，變壓器是不向輸出電容輸送能量的。輸出完全靠輸出的儲(chǔ)能電容來(lái)維持。

　　t3時(shí)刻，MOS再次開(kāi)通，由于這之前磁芯能量已經(jīng)完全釋放，電感電流為零。所以初級(jí)的電流是從零開(kāi)始上升的。

　　從CCM模式和DCM模式的波形中我們可以看到二者波形的區(qū)別：

　　1，變壓器初級(jí)電流，CCM模式是梯形波，而DCM模式是三角波。

　　2，次級(jí)整流管電流波形，CCM模式是梯形波，DCM模式是三角波。

　　3，MOS的Vds波形，CCM模式，在下一個(gè)周期開(kāi)通前，Vds一直維持在Vin+Vf的平臺(tái)上。而DCM模式，在下一個(gè)周期開(kāi)通前，Vds會(huì)從Vin+Vf這個(gè)平臺(tái)降下來(lái)發(fā)生阻尼振蕩。

　　所以，只要有示波器，我們就可以很容易從波形上看出來(lái)反激電源是工作在CCM還是DCM狀態(tài)。

　　另外，從DCM的工作波形上，我們也可以得到一些有意義的提示。

　　例如，假如我們控制使次級(jí)繞組電流降到零的瞬間，開(kāi)通MOS進(jìn)入下一個(gè)周期。這樣可以有效利用占空比，降低初級(jí)電流峰值和RMS值。

　　這種工作方式就是叫做CRM方式。可以用變頻帶電流過(guò)零檢測(cè)的IC來(lái)控制。例如L6561MC34262等。

　　還有一種方式，就是次級(jí)電流過(guò)零后，MOS結(jié)電容和初級(jí)電感諧振放電，我們假如讓MOS在Vds降到最低點(diǎn)的時(shí)候開(kāi)通，那么可以有效降低容性開(kāi)通造成的能量損失。這種就是前面提到過(guò)的QR準(zhǔn)諧振模式。這樣的控制IC現(xiàn)在也有很多。

　　t1時(shí)刻，Q1關(guān)斷，由于電感電流不能突變，所以，電感電流通過(guò)D1，向C1充電。并在C1兩端電壓作用下，電流下降。

　　t2時(shí)刻，電感電流和二極管電流降到零。D1截止，MOS的結(jié)電容和電感開(kāi)始發(fā)生諧振。所以可以看見(jiàn)MOS的Vds電壓出現(xiàn)周期性的振蕩。

　　t3時(shí)刻，Q1再次開(kāi)通，進(jìn)入一個(gè)新的周期。

　　在這個(gè)工作模式中，因?yàn)殡姼须娏鲿?huì)到零，所以是電流不連續(xù)的DCM模式。有叫做能量完全轉(zhuǎn)移模式，因?yàn)殡姼兄袃?chǔ)存的能量完全轉(zhuǎn)移到了輸出端。而二極管因?yàn)橐补ぷ髟贒CM狀態(tài)，所以沒(méi)有反向恢復(fù)的問(wèn)題。 但是我們應(yīng)該注意到，DCM模式的二極管、電感和MOS漏極的峰值電流是大于上面的CCM模式的。

　　需要注意的是在DCM下的伏秒積的平衡是：

　　Vin×(t1-t0)=Vout(t2-t1)

　　只是個(gè)波形的正反問(wèn)題。就好象示波器的探頭和夾子如果反過(guò)來(lái)，那么波形就倒過(guò)來(lái)。

　　你注意看圖的右邊，看波形具體的定義是什么。有的波形是兩個(gè)點(diǎn)相減出來(lái)的。

　　看波形圖也要配合這原理圖來(lái)看的。

　　當(dāng)MOS開(kāi)通的時(shí)候，二極管D1承受著反壓，是一個(gè)負(fù)的電壓。MOS關(guān)斷的時(shí)候，二極管導(dǎo)通，正向壓降很低二極管的反向恢復(fù)，和其工作時(shí)PN結(jié)的載流子的運(yùn)動(dòng)有關(guān)系。DCM時(shí)，因?yàn)槎O管已經(jīng)沒(méi)有電流流過(guò)了，內(nèi)部載流子已經(jīng)完成了復(fù)合過(guò)程。所以不存在反向回復(fù)問(wèn)題。會(huì)有一點(diǎn)點(diǎn)反向電流，不過(guò)那是結(jié)電容造成的。

　　在CCM和DCM模式有個(gè)過(guò)渡的狀態(tài)，叫CRM，就是臨界模式。這個(gè)模式就是電感電流剛好降到零的時(shí)候，MOS開(kāi)通。這個(gè)方式就是DCM向CCM過(guò)渡的臨界模式。CCM在輕載的時(shí)候，會(huì)進(jìn)入DCM模式的。CRM模式可以避免二極管的反向恢復(fù)問(wèn)題。同時(shí)也能避免深度DCM時(shí)，電流峰值很大的缺點(diǎn)。要保持電路一直工作在CRM模式，需要用變頻的控制方式。

　　我還注意到，在DCM模式，電感電流降到零以后，電感會(huì)和MOS的結(jié)電容諧振，給MOS結(jié)電容放電。那么，是不是可以有種工作方式是當(dāng)MOS結(jié)電容放電到最低點(diǎn)的時(shí)候，MOS開(kāi)通進(jìn)入下一個(gè)周期，這樣就可以降低MOS開(kāi)通的損耗了。答案是肯定的。這種方式就叫做準(zhǔn)諧振，QR方式。也是需要變頻控制的。不管是PWM模式，CRM模式，QR模式，現(xiàn)在都有豐富的控制IC可以提供用來(lái)設(shè)計(jì)。

　　2、那么我們常說(shuō)，反激flyback電路是從buck-boost電路演變而來(lái)，究竟是如何從buck-boost拓?fù)溲葑兂龇醇lyback拓?fù)涞哪?請(qǐng)看下面的圖：

　　這是基本的buck-boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。下面我們把MOS管和二極管的位置改變一下，都挪到下面來(lái)。變成如下的電路結(jié)構(gòu)。這個(gè)電路和上面的電路是完全等效的。

　　接下來(lái)，我們把這個(gè)電路，從A、B兩點(diǎn)斷開(kāi)，然后在斷開(kāi)的地方接入一個(gè)變壓器，得到下圖：

　　為什么變壓器要接在這個(gè)地方?因?yàn)閎uck-boost電路中，電感上承受的雙向伏秒積是相等的，不會(huì)導(dǎo)致變壓器累積偏磁。我們注意到，變壓器的初級(jí)和基本拓?fù)渲械碾姼惺遣⒙?lián)關(guān)系，那么可以將變壓器的勵(lì)磁電感和這個(gè)電感合二為一。另外，把變壓器次級(jí)輸出調(diào)整一下，以適應(yīng)閱讀習(xí)慣。得到下圖：

　　這就是最典型的隔離flyback電路了。由于變壓器的工作過(guò)程是先儲(chǔ)存能量后釋放，而不是僅僅擔(dān)負(fù)傳遞能量的角色。故而這個(gè)變壓器的本質(zhì)是個(gè)耦合電感。采用這個(gè)耦合電感來(lái)傳遞能量，不僅可以實(shí)現(xiàn)輸入與輸出的隔離，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了電壓的變換，而不是僅僅靠占空比來(lái)調(diào)節(jié)電壓。

　　由于此耦合電感并非理想器件，所以存在漏感，而實(shí)際線路中也會(huì)存在雜散電感。當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，漏感和雜散電感中的能量會(huì)在MOS的漏極產(chǎn)生很高的電壓尖峰，從而會(huì)導(dǎo)致器件的損壞。故而，我們必須對(duì)漏感能量進(jìn)行處理，最常見(jiàn)的就是增加一個(gè)RCD吸收電路。用C來(lái)暫存漏感能量，用R來(lái)耗散之。