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            基于IR2136的無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

            作者: 時(shí)間:2012-07-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            1.3 三相逆變橋部分
            逆變的作用是將動(dòng)力直流電源轉(zhuǎn)換為可以無刷運(yùn)行的三相交流電U、V和W。
            通過在IRFP260的柵極串聯(lián)一定電阻,改變MOSFET的開關(guān)速度。這里選擇柵極串聯(lián)一適當(dāng)大小的電阻。另外,由于柵源之間的阻抗很高,因此漏源間電壓的突變會(huì)通過極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生過高的電壓過沖。對于正方向的過沖電壓,會(huì)引起MOSFET誤導(dǎo)通,導(dǎo)致橋臂直通。因此,為了適當(dāng)降低柵極的阻抗,可以在柵源間并聯(lián)一大電阻。如圖6所示。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/176763.htm

            g.JPG


            1.4 過流保護(hù)部分
            過流保護(hù)的作用是避免工作過程中出現(xiàn)過電流時(shí)采取的安全措施,當(dāng)電路控制系統(tǒng)出現(xiàn)過電流時(shí),關(guān)閉三相逆變橋中的功率管。

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            先對母線電流進(jìn)行采樣檢測,經(jīng)過精密采樣電阻將母線電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號SAM,然后進(jìn)行簡單的濾波處理后輸入到比較器中,與設(shè)定的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較,產(chǎn)生過流信號OC,OC信號輸出到組合邏輯電路中參與運(yùn)算。當(dāng)電流過大時(shí)時(shí),OC信號為低電平,三相逆變橋的高壓端MOSFET關(guān)閉,停止工作。本中采用LM339芯片實(shí)現(xiàn)電路過流保護(hù)功能,過流保護(hù)電路如圖7所示。

            2 仿真結(jié)果分析
            直接調(diào)用驅(qū)動(dòng)芯片、IRFP260的PSPSICE仿真模型,利用Synopsys公司的仿真分析軟件Saber對功率驅(qū)動(dòng)電路建立仿真分析模型進(jìn)行分析。在仿真模型中,選擇柵極串聯(lián)電阻RG=200 &Omega;,柵源極并聯(lián)電阻RGS=20 k&Omega;,直流母線電流精密采樣電阻RSAM=0.05&Omega;。
            其中S1F和S4F為一個(gè)橋臂的輸入控制信號,G1_G,G4_G分別為半橋高壓側(cè)MOSFET、低壓側(cè)MOSFET的柵極電壓,UA為電機(jī)的三相繞組輸入電壓。分析得出輸入控制信號有效時(shí),MOSFET可靠導(dǎo)通;同時(shí)高端MOSFET導(dǎo)通時(shí),低端MOSFET關(guān)閉。

            3 結(jié)論
            文中完成了一個(gè)基于IR2136的無刷直流電機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)電路。該電路集成了輸入欠壓、防直通、過流等保護(hù)功能。另外,利用IR21 36片內(nèi)自舉功能,實(shí)現(xiàn)了全橋驅(qū)動(dòng)電路的單一電源供電,并根據(jù)計(jì)算分析對電路的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行選擇。同時(shí)利用仿真分析軟件Saber對電路進(jìn)行了仿真,其仿真結(jié)果與理論分析相吻合。

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