所以根據(jù)這個(gè)我們從波形圖中可以看到，當(dāng)MOS開(kāi)通時(shí)，次級(jí)電流還沒(méi)有降到零。而MOS開(kāi)通時(shí)，初級(jí)電流并不是從零開(kāi)始上升，故而，這個(gè)例子中的電路是工作在CCM模式的。我們說(shuō)過(guò)，CCM模式是能量不完全轉(zhuǎn)移的。也就是說(shuō)，儲(chǔ)存在磁芯中的能量是沒(méi)有完全釋放的。但進(jìn)入穩(wěn)態(tài)后，每周期MOS開(kāi)通時(shí)新增儲(chǔ)存能量是完全釋放到次級(jí)的。否則磁芯會(huì)飽和的。

　　在上面的電路中，如果我們?cè)龃筝敵鲐?fù)載的阻值，降低輸出電流，可以是電路工作模式進(jìn)入到DCM狀態(tài)。為了使輸出電壓保持不變，MOS的驅(qū)動(dòng)占空比要降低一點(diǎn)。其他參數(shù)保持不變。

　　同樣，設(shè)定瞬態(tài)掃描，時(shí)間10ms，步長(zhǎng)10ns，看看穩(wěn)態(tài)時(shí)的波形吧：

　　t0時(shí)刻，MOS開(kāi)通，初級(jí)電流線性上升。

　　t1時(shí)刻，MOS關(guān)斷，初級(jí)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)耦合到次級(jí)向輸出電容轉(zhuǎn)移能量。漏感在MOS上產(chǎn)生電壓尖峰。輸出電壓通過(guò)繞組耦合，按照匝比關(guān)系反射到初級(jí)。這些和CCM模式時(shí)是一樣的。這一狀態(tài)維持到t2時(shí)刻結(jié)束。

　　t2時(shí)刻，次級(jí)二極管電流，也就是次級(jí)電感電流降到了零。這意味著磁芯中的能量已經(jīng)完全釋放了。那么因?yàn)槎茈娏鹘档搅肆?，二極管也就自動(dòng)截止了，次級(jí)相當(dāng)于開(kāi)路狀態(tài)，輸出電壓不再反射回初級(jí)了。由于此時(shí)MOS的Vds電壓高于輸入電壓，所以在電壓差的作用下，MOS的結(jié)電容和初級(jí)電感發(fā)生諧振。諧振電流給MOS的結(jié)電容放電。Vds電壓開(kāi)始下降，經(jīng)過(guò)1/4之一個(gè)諧振周期后又開(kāi)始上升。由于RCD箝位電路的存在，這個(gè)振蕩是個(gè)阻尼振蕩，幅度越來(lái)越小。

　　t2到t3時(shí)刻，變壓器是不向輸出電容輸送能量的。輸出完全靠輸出的儲(chǔ)能電容來(lái)維持。

　　t3時(shí)刻，MOS再次開(kāi)通，由于這之前磁芯能量已經(jīng)完全釋放，電感電流為零。所以初級(jí)的電流是從零開(kāi)始上升的。

　　從CCM模式和DCM模式的波形中我們可以看到二者波形的區(qū)別：

　　1，變壓器初級(jí)電流，CCM模式是梯形波，而DCM模式是三角波。

　　2，次級(jí)整流管電流波形，CCM模式是梯形波，DCM模式是三角波。

　　3，MOS的Vds波形，CCM模式，在下一個(gè)周期開(kāi)通前，Vds一直維持在Vin+Vf的平臺(tái)上。而DCM模式，在下一個(gè)周期開(kāi)通前，Vds會(huì)從Vin+Vf這個(gè)平臺(tái)降下來(lái)發(fā)生阻尼振蕩。

　　所以，只要有示波器，我們就可以很容易從波形上看出來(lái)反激電源是工作在CCM還是DCM狀態(tài)。

　　另外，從DCM的工作波形上，我們也可以得到一些有意義的提示。

　　例如，假如我們控制使次級(jí)繞組電流降到零的瞬間，開(kāi)通MOS進(jìn)入下一個(gè)周期。這樣可以有效利用占空比，降低初級(jí)電流峰值和RMS值。

　　這種工作方式就是叫做CRM方式。可以用變頻帶電流過(guò)零檢測(cè)的IC來(lái)控制。例如L6561MC34262等。

　　還有一種方式，就是次級(jí)電流過(guò)零后，MOS結(jié)電容和初級(jí)電感諧振放電，我們假如讓MOS在Vds降到最低點(diǎn)的時(shí)候開(kāi)通，那么可以有效降低容性開(kāi)通造成的能量損失。這種就是前面提到過(guò)的QR準(zhǔn)諧振模式。這樣的控制IC現(xiàn)在也有很多。