電容端變化是有個過程的。在CC模式時，當負載變小的，輸出電壓下降，Td和T會同時增大，但比例不變。因為Ipk*ton是不變的。因為Vin和L是不變的。根據(jù)伏秒變衡。Vin*Ton=N*Vo*Td,Vin和Ton是不變的，N為常數(shù)，所以輸出負載的變化會引起輸出電壓的變化，輸出電壓的變化會引起Td的變化，而Td/T是被IC固定的。所以最終是頻率的變化再講講PSR對電感量補償?shù)?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/原理">原理?？催^PI LN60X實驗視頻的朋友可以看到他們的PSR對電感量有補償。

　　當電感量低出設(shè)計正常值時，達到同樣的峰值電流需要的時間就短了，Δt=L*ΔI/V,ΔI在DCM模式時等于峰值電流，而峰值電流是固定的。V就是Vin,為常數(shù)。所以L低會造成Δt下降，也就是Ton下降。根據(jù)伏秒平衡，Ton*Ipk*Np=Td*Ipks*Ns。Np,Ns為常數(shù)，Ton的下降同樣也造成Td下降。由于Td比上周期T為固定值，Td下降造成T變小，所以頻率就升高了。但是由于有最高頻率的限制。

　　所以設(shè)計時要注意在最重負載時，頻率不能工作在最高頻率，這樣電感量的變化將得不到補償。應(yīng)適當?shù)陀谧罡吖ぷ黝l率。電感量高出正常值時，結(jié)果當然是相反的。Io=(Td/T)*(Np*Ipk /Ns)/2。只要Ipk,Td/T不變，輸出電流也就不變。所以電感量變化引起的是頻率的變化。從公式P=1/2*I*I*L*f也可以看出。I固定，輸出功率不變，L的變化引起的是頻率f的變化。但一定要注意最高工作頻率限制。

　　電源參數(shù)(7*1W LED驅(qū)動)： 輸入 AC 90-264V 輸出：25.8V 0.3A

　　從IC資料上可以看出Td/T=0.5 CS腳限制電壓Vth_oc為0.91V FB基準為2V，占空比D取0.45 Vin取90V 整流管VF取0.9 最高開關(guān)頻率取50KHZ 變壓器用EE16，AE=19.3mm^2 VCC供電繞組電壓取22V(考慮到不同串數(shù)LED的兼容性VCC繞組電壓取得較高，但通常根據(jù)經(jīng)驗，取芯片最大值減去2v)
　1、計算次級峰值電流Ipks：

　　Io=(Td/T)*Ipsk/2

　　Ipks=Io*2/(Td/T)=0.3*2/0.5=1.2A

　　2、計算反射電壓Vor：根據(jù)伏秒平衡

　　Vin*Ton=Vor*Td

　　Vin*Ton/T=Vor*Td/T

　　Vin*D=Vor*Td/T

　　90*0.45=Vor*0.5

　　Vor=81V

　　3、計算匝比N

　　Vor=(Vo+Vf)*N

　　N=81/(25.8+0.9)=3.03

　　4、計算初級峰值電流(考慮到初級電流一部分在轉(zhuǎn)換時的損耗，如吸收中的一部分損耗，磁芯損耗，輸出電容損耗，次級銅損)初級電流損耗取輸出電流的7%

　　Ipk=Ipks*(1+7%)/N=1.2*(1+7%)/3.03=0.424

　　5、計算初級電感量

　　Vin/L=ΔI/Δt DCM模式時ΔI等于Ipk

　　vin/L=Ipk/(D/f)

　　L=vin*D/f/Ipk=90*0.45/50K/0.424=1.91mH

　　6、計算初級圈數(shù)Np,Ns(B取0.3mT)

　　NP=L*I/(AE*B)=1.91*0.424/(19.3*0.3)*10^3=140TS

　　NS=NP/N=140/3=46.6TS 取47TS時反算47*3.03=142TS

　　NA=NS*VA/(Vo+VF)=47*22/(25.8+0.9)=39TS

　　7、電壓取樣電阻

　　當供電繞組電壓取22V時，F(xiàn)B基準為2V ，上下取樣電阻正好為10比1，取6.8K和68K

　　8、電流檢測電阻Rcs

　　Rcs=Vth_oc/Ipk=0.91/0.424=2.15 用2.7并11歐電阻

　　9、二極管反壓

　　=Vin_max/N+Vo=264*1.41/3.03+25.8=149V 取耐壓200V的SF14

　　10、MOS耐壓及 漏感尖峰取 Vlk75V

　　=Vin_max+Vor+Vlk=373+81+75=529V 考慮到功耗選用2N60