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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 同步Buck新型高頻正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路的研究

            同步Buck新型高頻正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路的研究

            作者: 時(shí)間:2012-12-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            摘要:高效率、高開關(guān)頻率和高動(dòng)態(tài)響應(yīng)是近年來開關(guān)電源領(lǐng)域研究的重點(diǎn),但開關(guān)頻率的提高伴隨著的急劇增加,特別是當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到5 MHz以上等級(jí)時(shí),傳統(tǒng)的方波已無法正常工作。同步Buck是目前很常用的一種DC/DC拓?fù)洌颂幪岢隽艘环N新型正弦波諧振,實(shí)現(xiàn)了對(duì)高邊開關(guān)管的驅(qū)動(dòng),且有效降低了高開關(guān)頻率下電路的。在輸入電壓為15 V,輸出電壓為5 V,輸出電流為2 A,開關(guān)頻率為6 MHz的同步Buck電路中,其效率能達(dá)85%以上。針對(duì)該驅(qū)動(dòng)方式采用了ON-OFF電壓滯環(huán)的閉環(huán)控制策略,提高了電路的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能。
            關(guān)鍵詞:;

            1 引言
            在電子信息技術(shù)不斷發(fā)展的背景下,小型化已成為各項(xiàng)技術(shù)不斷追求和發(fā)展的目標(biāo)。為了減小電源所占的空間,提高便攜式設(shè)備的待機(jī)時(shí)間,模塊電源必須朝著小型化且高效率的方向發(fā)展。
            提高M(jìn)OSFET的開關(guān)頻率可降低電路的儲(chǔ)能需求,減小電感電容等無源器件的體積,進(jìn)而減小開關(guān)電源的體積。但傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)電路只適用于兆赫茲以下等級(jí)的開關(guān)頻率,當(dāng)開關(guān)頻率繼續(xù)增加時(shí),傳統(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)急劇增加,嚴(yán)重影響整體電路的效率。當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到5 MHz以上時(shí),電路甚至無法正常工作。為了解決上述問題,此處提出了一種針對(duì)普通的同步Buck拓?fù)涞碾p管電路,解決了主開關(guān)管高邊驅(qū)動(dòng)的問題,且針對(duì)所提出的驅(qū)動(dòng)方式采用ON-OFF電壓滯環(huán)的閉環(huán)控制方式。

            2 同步Buck電路及其驅(qū)動(dòng)電路
            2.1 同步Buck電路
            圖1示出主電路所采用的同步Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。與常規(guī)的Buck電路相比,同步Buck電路采用MOSFET VQ2替代了常規(guī)Buck電路中的續(xù)流二極管,降低了二極管續(xù)流時(shí)的導(dǎo)通損耗。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/175972.htm

            a.JPG


            2.2 傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)電路
            圖2示出目前應(yīng)用廣泛的傳統(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路,通過VS1和VS2交替導(dǎo)通給VQ的輸入寄生電容Ciss不斷地充電和放電,從而實(shí)現(xiàn)VQ的開通和關(guān)斷。因此傳統(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)損耗可表示為:c1.jpg,其中,fs為VQ的開關(guān)頻率??梢姡瑐鹘y(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)損耗是隨著開關(guān)頻率的增加而成比例增長的,不適用于開關(guān)頻率在兆赫茲以上等級(jí)的電路。

            b.JPG


            2.3 電路
            圖3示出正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路原理圖。

            c.JPG


            通過一個(gè)外接電感Lr在fs下與VQ的輸入寄生電容Ciss產(chǎn)生諧振,通過諧振所產(chǎn)生的正弦波來驅(qū)動(dòng)VQ。因?yàn)橹C振過程中能量一直在Ciss和Lr間傳遞,損耗主要由諧振電流流過前端圖騰柱輸出電阻Ri和MOSFET的柵極寄生電阻Rg而產(chǎn)生,因此相對(duì)于傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)電路,損耗大為減小。與傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)相比,正弦波諧振驅(qū)動(dòng)有許多優(yōu)點(diǎn):①由于驅(qū)動(dòng)電路的能量一直在諧振電容和電感之間傳遞,大大減小了驅(qū)動(dòng)電路和MOSFET柵極的損耗;②由于MOSFET的輸入電容是隨著諧振的過程而實(shí)現(xiàn)充放電的,因此MOSFET開通和關(guān)斷瞬間所需的電流明顯減小,避免了柵極寄生電感引起的振蕩;③在驅(qū)動(dòng)雙開關(guān)管的電路拓?fù)鋾r(shí),正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路無需復(fù)雜的死區(qū)控制電路,因?yàn)檎也?qū)動(dòng)有固有的死區(qū)時(shí)間。


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