準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱作準(zhǔn)諧振（QR）轉(zhuǎn)換器，使反激式開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計的信號電磁干擾（EMI）更低及滿載能效更高。然而，由于負(fù)載下降時開關(guān)頻率升高，必須限制頻率漂移，避免額外的開關(guān)損耗。傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振控制器采用頻率鉗位技術(shù)來限制頻率漂移。當(dāng)系統(tǒng)開關(guān)頻率到達(dá)頻率鉗位限制值時，就發(fā)生谷底跳頻：控制器在兩種可能的谷底頻率選擇中來回跳動，導(dǎo)致變壓器工作不穩(wěn)定及產(chǎn)生噪聲?？朔@個問題的一種新技術(shù)是在負(fù)載降低時改變谷底頻率，從而逐步降低開關(guān)頻率。一旦控制器選擇某個谷底，它就保持鎖定這個谷底頻率，直到輸出功率大幅變化：這就是安森美半導(dǎo)體新近引入的谷底鎖定技術(shù)。

　　本文除了簡要介紹準(zhǔn)諧振電源，還將進(jìn)一步闡釋谷底跳頻問題，介紹解決這問題的谷底鎖定技術(shù)，并分享實(shí)驗(yàn)結(jié)果支持理論研究的的實(shí)際應(yīng)用案例。

　　準(zhǔn)方波信號簡介

　　準(zhǔn)方波諧振電源通常也稱作準(zhǔn)諧振電源，廣泛用于筆記本適配器或電視電源。這種架構(gòu)的主要特征就是零電壓開關(guān)（ZVS）工作，這種技術(shù)能降低開關(guān)損耗，幫助弱化電磁干擾（EMI）信號。變壓器去磁完成后，在電壓位于MOSFET漏極節(jié)點(diǎn)處存在的電感電容（LC）網(wǎng)絡(luò)諧振導(dǎo)致的自由振蕩（即“谷底開關(guān)”）的最低值時導(dǎo)通MOSFET，從而實(shí)現(xiàn)ZVS工作。這個網(wǎng)絡(luò)實(shí)際上由初級電感Lp和漏極節(jié)點(diǎn)處的寄生電容Clump組成。

圖1：MOSFET在谷底導(dǎo)通

　　準(zhǔn)諧振電源的開關(guān)頻率取決于負(fù)載條件，本質(zhì)上變化幅度很大。不利的是，負(fù)載降低時開關(guān)頻率增加，導(dǎo)致輕載能效欠佳，因?yàn)殚_關(guān)損耗的預(yù)算增加了。要改善輕載能效，必須找出方法來將開關(guān)頻率鉗位降至更低。

　　傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器

　　傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振控制器包含內(nèi)部定時器，防止自激（free-running）頻率超過上限。頻率限制值通常固定為125 kHz，從而使頻率保持在CISPR-22 EMI規(guī)范的150 kHz起始點(diǎn)頻率之下。下圖是帶有8 ?s定時器以鉗位開關(guān)頻率的準(zhǔn)諧振控制器的內(nèi)部架構(gòu)簡圖。

圖2：傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振控制器電路圖。

　　為了導(dǎo)通MOSFET，不僅要以過零檢測（ZCD）比較器來檢測谷底，而且8 us定時器還必須已經(jīng)結(jié)束計時（圖2）。如果在8 ?s的時間窗口內(nèi)出現(xiàn)谷底，就不允許MOSFET啟動。因此，功率MOSFET的關(guān)閉時間只能通過一個自由振蕩周期內(nèi)的不同階躍（step）來改變。

　　在低線路電壓和高輸出負(fù)載時，變壓器的去磁時間較長，會超過8 ?s：控制器將在第一個谷底導(dǎo)通MOSFET。然而，隨著功率需求降低，去磁時間縮短，而當(dāng)去磁時間縮短至低于8 ?s時，頻率就被鉗位。在這種情況下，變壓器的磁芯將被指示在8 ?s定時器結(jié)束之前復(fù)位（表示次級端電流已經(jīng)到零及內(nèi)部磁場已返回至零）。MOSFET不會立即重啟，8 ?s時間窗口會使MOSFET保持在阻斷狀態(tài)，而某些谷底會被忽略。如果輸出功率電平使得逐周期能量平衡所需關(guān)閉時間降到兩個鄰近谷底之間，電源將以大小不等的開關(guān)周期工作：這就是所謂的谷底跳頻。較長的開關(guān)周期會被較短的開關(guān)周期補(bǔ)償，反之亦然。在圖3中，2或3個周期的第一種谷底開關(guān)之后，跟隨的是1個周期的第二種谷底開關(guān)。谷底跳頻現(xiàn)象使開關(guān)頻率產(chǎn)生很大變化，而這變化會被大峰值電流跳變補(bǔ)償。而電流跳變導(dǎo)致變壓器中產(chǎn)生可聽噪聲。

圖3：谷底跳頻：控制器頻率在兩個鄰近谷底之間來回跳動

　　單獨(dú)鉗位開關(guān)頻率可以解決輕輸出負(fù)載條件下的不穩(wěn)定問題，但不會改善該特定工作點(diǎn)的能效。因此，傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器中，頻率鉗位要么涉及跳周期電路，要么涉及頻率反走電路。

　　頻率反走

　　頻率反走電路通常是壓控振蕩器（VCO），在頻率鉗位時降低開關(guān)頻率（圖4）。通過降低工作頻率，開關(guān)損耗也得以降低，輕載能效相應(yīng)改善。然而，在頻率反走模式期間，MOSFET導(dǎo)通事件仍然與谷底檢測同步：控制器頻率在兩個鄰近谷底之間來回跳動時發(fā)生谷底跳頻，同樣導(dǎo)致準(zhǔn)諧振電源中出現(xiàn)可聽噪聲。

圖4：帶頻率反走的準(zhǔn)諧振模式

　　這種技術(shù)帶來的另一項約束就是滿載和輸入電壓較低時最低頻率的選擇。實(shí)際上，頻率鉗位要求選擇較低的最低頻率，而且這個值必須高于可聽頻率范圍（通常約30 kHz）。由于這較低的最低頻率，初級電感值因而增加以提供必要的輸出功率，變壓器尺寸也相應(yīng)地增大。

　　解決谷底跳頻問題

　　一種避免谷底跳頻問題的新方案，是在輸出負(fù)載變化時，從某個谷底位置變到下一個/前一個谷底位置 ，并將控制器頻率鎖定在所選位置。這叫做“谷底鎖定”技術(shù)。一旦控制器選定在某個谷底工作，它就保持鎖定在這個谷底，直到輸出功率大幅變化。實(shí)際上，可以通過監(jiān)測反饋電壓VFB來觀測輸出功率變化。需要計數(shù)器來給谷底計數(shù)。谷底鎖定乃是通過使電源在特定輸出負(fù)載下能有兩個可能的工作點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)。因此，當(dāng)輸出負(fù)載值使逐周期能量平衡所需的關(guān)閉時間介于兩個鄰近的谷底之間時，峰值電流允許增高到足以在下一個谷底找到穩(wěn)定的工作點(diǎn)。

圖5：就每個輸出負(fù)載而言，在2個鄰近的谷底中間都有相應(yīng)的工作點(diǎn)

　　由于使用了這種技術(shù)，谷底跳頻不穩(wěn)定問題就不再存在，而且變壓器中也聽不到可聽噪聲。

　　這種技術(shù)的另一特征是其提供自然的開關(guān)頻率限制。實(shí)際上，每次控制器谷底遞增時，頻率就以不同階躍來降低，如圖6所示。開關(guān)頻率的降低取決于自由振蕩周期：

（1.1）

　　其中： -Lp是初級電感

　　-Clump包括功率MOSFET漏極處存在的所有寄生電容（輸出電容COSS，變壓器電容等）

　　圖6描繪了使用帶谷底鎖定功能的控制器（如安森美半導(dǎo)體的NCP1380）的適配器開關(guān)頻率的變化過程。輸入電壓為均方根115 V時，開關(guān)頻率漂移限制在65 kHz到95 kHz之間，且不須使用任何頻率鉗位。