本文描述了兩種使用ADP2102同步DC-DC轉(zhuǎn)換器調(diào)節(jié)DSP內(nèi)核電壓的方法，當(dāng)處理器在低時(shí)鐘速度下運(yùn)行時(shí)，可動(dòng)態(tài)地將內(nèi)核電壓從1.2 V調(diào)節(jié)到1.0V。

ADP2102高速同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器在由2.7V~5.5V的電池電壓供電時(shí)，可以使內(nèi)核電壓低到0.8 V。其恒定導(dǎo)通時(shí)間的電流模式控制以及3MHz開關(guān)頻率提供了優(yōu)良的動(dòng)態(tài)響應(yīng)、非常高的效率和出色的源調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。較高的開關(guān)頻率允許系統(tǒng)使用超 小型多層電感和陶瓷電容器。ADP2102采用3 mm×3 mm LFCSP封裝，節(jié)約了空間，僅需要三或四個(gè)外部元件。而且ADP2102包括完善的功能，諸如各種安全特征，如欠壓閉鎖、短路保護(hù)和過熱保護(hù)。

圖3示出了實(shí)現(xiàn)DVS的電路。ADSP-BF533 EZ-KIT Lite 評估板上的3.3 V電源為降壓轉(zhuǎn)換器ADP2102供電，使用外部電阻分壓器R1和R2將ADP2102的輸出電壓設(shè)定為1.2 V。DSP的GPIO引腳用于選擇所需的內(nèi)核電壓。改變反饋電阻值可以在1.2 V~1.0 V的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)內(nèi)核電壓。通過與R2并聯(lián)的電阻R3，N溝MOSFET可以修改分壓器。相比于R3，IRLML2402的RDSon 較小，僅為0.25 Ω。3.3 V的GPIO電壓用于驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極。為了獲得更好的瞬態(tài)性能并改善負(fù)載調(diào)整率，需要加入前饋電容器CFF。

圖3. 使用外部MOSFET和Blackfin PWM控制進(jìn)行ADP2102的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整

對于雙電平開關(guān)，一般的應(yīng)用要求是：

DSP內(nèi)核電壓 (VOUT1) = 1.2 V

DSP內(nèi)核電壓 (VOUT2) = 1.0 V

輸入電壓 = 3.3 V

輸出電流 = 300 mA

使用高阻值的分壓電阻可將功率損失降到最低。前饋電容在開關(guān)過程中降低柵漏電容的影響。通過使用較小的反饋電阻和較大的前饋電容可以使該暫態(tài)過程中引起的過沖或下沖最小，但這是以額外的功耗為代價(jià)的。

圖4示出了輸出電流IOUT、輸出電壓VOUT和控制電壓VSEL。VSEL為低電平時(shí)，輸出電壓為1.0 V，VSEL為高電平時(shí)，輸出電壓為1.2 V。

圖4. 通過MOSFET調(diào)節(jié)下面的反饋電阻器

一種較簡單的方法可生成用于DVS的兩個(gè)不同的電壓，其使用控制電壓VC通過另外的電阻將電流注入到反饋網(wǎng)絡(luò)中。調(diào)節(jié)控制電壓的占空比可以改變其平均DC電平。因此使用一個(gè)控制電壓和電阻可以調(diào)節(jié)輸出電壓。下面的公式用于計(jì)算電阻R2、R3的值以及控制電壓幅度電平VC_LOW 和 VC_HIGH.

(1)

(2)

對于VOUT1 = 1.2 V, VOUT2 = 1.0 V, VFB = 0.8 V, VC_LOW = 3.3 V, VC_HIGH = 0 V, 和 R1= 49.9 kohm, R2 and R3可以如下計(jì)算

(3)

(4)

該方法產(chǎn)生了更加平滑的變換。不同于MOSFET開關(guān)方法，能夠驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載的任何控制電壓均可用于該方案，而 MOSFET開關(guān)方法僅能夠用于驅(qū)動(dòng)電容負(fù)載的控制信號源。該方法可以適用于任何輸出電壓組合和輸出負(fù)載電流。因此，根據(jù)需要調(diào)整內(nèi)核電壓，便可以降低 DSP的功耗。圖5示出了使用該電流注入方法的兩個(gè)輸出電壓之間的變換。

圖5. 使用控制電壓 VC進(jìn)行ADP2102的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整

圖6. 通過控制電壓調(diào)節(jié)下面的反饋電阻器