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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 一種低電壓低靜態(tài)電流LDO的電路設(shè)計(一)

            一種低電壓低靜態(tài)電流LDO的電路設(shè)計(一)

            作者: 時間:2013-04-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/175290.htm

            因此通過晶體管Q3的基射級電壓和R2電壓疊加即可得到輸出電壓值:

            調(diào)整電阻比值,使VT 系數(shù)

            值為17.2,即可得到溫度系數(shù)為零的帶隙基準(zhǔn)電壓。

            1.2 LDO頻率分析

            精簡結(jié)構(gòu)LDO中包含三個低頻極點(diǎn),分別處在增益級的輸出,緩沖級的輸出和LDO的輸出節(jié)點(diǎn),分別如下:

            式中:ro1 和C1 分別是增益級輸出電阻和負(fù)載電容;ro2是緩沖級輸出電阻;Cpar 是功率管寄身電容;rop 是LDO輸出級的等效電阻;CL 為輸出負(fù)載補(bǔ)償電容。為了保證LDO有個良好的輸出暫態(tài)特性,CL 取值一般很大,因此極點(diǎn)p3 為LDO環(huán)路的主極點(diǎn)。晶體管Q3集電極電流偏置為PTAT電流,因此增益級的輸出阻抗隨輸出負(fù)載電流和輸入電壓變化不大,同時增益級的負(fù)載電容主要由緩沖級輸入電容決定,所以極點(diǎn)p1 位置相對穩(wěn)定,故可以采用一個左半平面的零點(diǎn)補(bǔ)償。類似如傳統(tǒng)LDO,本文采用一個電阻resr 與輸出補(bǔ)償電容串聯(lián)方式,獲得一個左半平面零點(diǎn):

            基于上述分析,精簡結(jié)構(gòu)LDO的開環(huán)傳輸函數(shù)為:

            式中

            .其中:gmQ2 ,gmQ3 和gmp 分別代表晶體管Q2,Q3和功率管的跨導(dǎo);Rπ 3 是晶體管Q3的輸入電阻。當(dāng)p1 和z1 匹配比較精確,LDO環(huán)路只有兩個低頻極點(diǎn)p2 和p3 .因此,為了獲得60°的相位裕度,必須:

            電子管相關(guān)文章:電子管原理



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