圖2:反向恢復(fù)特性

鎮(zhèn)流器的性能測試結(jié)果

為了驗證UniFETTM II MOSFET系列的有效性，使用包括混合頻率逆變器的150W室內(nèi)HID燈鎮(zhèn)流器進(jìn)行實驗。 鎮(zhèn)流器的逆變器電路與圖1相同。低頻臂由2個IGBT組成，其工作頻率范圍為60Hz~120Hz. 另一個臂的工作頻率范圍為30kHz~110kHz. 采用普通MOSFET和FRD的傳統(tǒng)解決方案與UniFET II MOSFET系列之間的擊穿電流對比結(jié)果如圖3所示。在傳統(tǒng)解決方案中，反向恢復(fù)電流的峰值是11.44A. 而UniFET II MOSFET系列反向恢復(fù)電流的峰值是10.48A.

圖3:瞬態(tài)下的穿通電流對比

結(jié)論

UniFET II MOSFET系列具有更佳反向恢復(fù)特性，如快速恢復(fù)時間和低反向恢復(fù)電荷。 因此，可去除混合頻率逆變器系統(tǒng)中防止故障所需的4個額外二極管。 實驗證明UniFET II MOSFET系列可提高混合頻率逆變器的系統(tǒng)可靠性，由于去除了額外的二極管，因此可節(jié)省電路板空間和制造成本。