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        TVS管保護器件免受高壓瞬變損害

        作者: 時間:2013-07-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        關(guān)于過電壓抑制

        本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/174964.htm

        瞬變威脅—什么是瞬變?

        電壓瞬變的定義是電能的短時激增,它們是先前存儲的電能或者通過其他方式(比如大電感負載或雷電)引入的電能的突然釋放的結(jié)果。在電氣或電子電路中,這種能量可以通過控制開關(guān)動作,或通過隨機誘導(dǎo)來從外源的電路中以一種可預(yù)測的方式得到釋放。

        重復(fù)性瞬變常常歸因于電動機、發(fā)電機或者反應(yīng)性電路原件的切換。而另一方面,隨機瞬變通常是由閃電和靜電放電(ESD)引起的。閃電和ESD的發(fā)生一般是不可預(yù)知的,并可能需要對精細監(jiān)測進行精確的測算,特別是當(dāng)瞬變在電路板層面上誘發(fā)的情況下。許多電子標準工作組使用公認的檢測或測試方法已經(jīng)對瞬變電壓進行了分析。幾種瞬變的關(guān)鍵特性如下表所示:

        表1:瞬變來源舉例以及強度。

        瞬變電壓尖峰的特性

        瞬變電壓尖峰通常呈現(xiàn)出一個“雙指數(shù)”波動。對于閃電和ESD這兩種瞬變源,這種波動如下圖所示。

        圖1:閃電瞬變波形。

        圖2:ESD測試波形。

        雷擊的指數(shù)上升時間范圍在1.2μsec到10_sec之間(基本上是10%到90%),持續(xù)時間在50_sec到1000_sec之間(峰值的50%)。另一方面,ESD是一種持續(xù)時間更短的事件。上升時間少于1.0ns也是典型特點。整個持續(xù)時間大約為100ns。

        為什么瞬變愈發(fā)令人擔(dān)憂?

        元件小型化導(dǎo)致對電應(yīng)力的敏感性增加。例如,微處理器具有無法應(yīng)對ESD引起的高電流的結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電路徑。此類元件在非常低的電壓環(huán)境下工作,因此電壓干擾必須加以控制,以防止設(shè)備中斷以及潛在的或災(zāi)難性故障。

        如今,敏感的微處理器在范圍廣泛的器件中得到普遍應(yīng)用。從家用電器,如洗碗機,到工業(yè)控制,甚至玩具中都會使用微處理器來提高功能性和效率。

        現(xiàn)在大多數(shù)車輛也會采用多個電子系統(tǒng)來控制發(fā)動機、車內(nèi)溫度、剎車,或者在某些情況下,控制轉(zhuǎn)向、牽引系統(tǒng)和安全系統(tǒng)。

        許多電器和汽車內(nèi)的子組件或支持組件(如電動馬達或附件)都會將整個系統(tǒng)暴露在瞬變威脅之下。

        精心的電路設(shè)計不僅要考慮環(huán)境場景,還要計入這些相關(guān)組件的潛在影響。表2列出了各種組件技術(shù)的易損性。

        表2:器件易損性的范圍。

        瞬變電壓情境

        靜電放電(ESD)

        靜電放電的特點是非??焖俚纳仙龝r間、非常高的峰值電壓和電流。這種能量是物體之間正負電荷不平衡的結(jié)果。

        日?;顒铀a(chǎn)生的靜電放電會遠遠超過標準半導(dǎo)體技術(shù)的易損性閾值。以下是幾個例子:

        ● 走過地毯:

        35kV @ RH = 20%; 1.5kV @ RH = 65%

        ● 走過塑料地面:

        12kV @ RH = 20%; 250V @ RH = 65%

        ● 工人在工作臺上工作:

        6kV @ RH = 20%; 100V @ RH = 65%

        ● 乙烯信封:

        7kV @ RH = 20%; 600V @ RH = 65%

        ● 從辦公桌上拿起塑料袋:

        20kV @ RH = 20%; 1.2kV @ RH = 65%


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