新器件集成了IR公司最新一代的功率MOSFET，從而為具有15A~25A的應(yīng)用取得市場(chǎng)領(lǐng)先的電子性能，其峰值效率高于96%。為了達(dá)到市場(chǎng)領(lǐng)先的散熱性能，例如，在提供25A的電流時(shí)，溫度僅僅上升50°C的低值，采用了公司獨(dú)有的封裝(圖4)。同步MOSFET轉(zhuǎn)換到“源極在下”配置，同時(shí)控制MOSFET卻保持著傳統(tǒng)的“漏極在下”配置。大多數(shù)的熱量是在同步MOSFET源中產(chǎn)生的，并且立即傳導(dǎo)出封裝，并降至底平面，而不是像競(jìng)爭(zhēng)解決方案那樣，是要經(jīng)過(guò)硅芯片。這就有助于從控制MOSFET中傳熱同時(shí)降低MOSFET間開(kāi)關(guān)結(jié)點(diǎn)之間連接的電阻。

圖4: 專利型封裝將熱傳導(dǎo)和電子傳導(dǎo)最大化。

作為第三代SupIRBuck中的一員，這些器件符合工業(yè)市場(chǎng)中-40oC至125oC的工作結(jié)溫要求。它可能針對(duì)單輸入電壓(5V~21V)操作進(jìn)行配置，或者當(dāng)提供5V的外部偏壓時(shí)，將輸入功率從1V轉(zhuǎn)換至21V。IR3847具有后部封裝高精度死區(qū)時(shí)間微調(diào)功能，將效率損耗降至最低，而且內(nèi)部智能LDO可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍上的效率優(yōu)化。真正的差分遠(yuǎn)程檢測(cè)對(duì)于大電流應(yīng)用(圖5)至關(guān)重要，在25°C至105°C的溫度范圍上，實(shí)現(xiàn)0.5%的基準(zhǔn)電壓精度，輸入前向和超低抖動(dòng)相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)線壓、負(fù)載和溫度上高于3%的整體輸出電壓精度。其它高級(jí)特性還包括外部時(shí)鐘同步、定序、追蹤、輸出電壓容限、預(yù)偏壓?jiǎn)?dòng)性能、實(shí)現(xiàn)輸入電壓感知、可調(diào)節(jié)OVP引腳和內(nèi)部軟啟動(dòng)。IR3847還具有采用專業(yè)檢測(cè)引腳(VSNS)的真正的輸出電壓檢測(cè)。這就提供了一個(gè)強(qiáng)勁的解決方案，可以保證在所有條件下都可以對(duì)輸出電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，特別是出現(xiàn)反饋線纜斷開(kāi)的情況，否則，就會(huì)導(dǎo)致在傳統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品出現(xiàn)的嚴(yán)重的過(guò)壓?jiǎn)栴}。

圖5：差分遠(yuǎn)程檢測(cè)。

除此之外，還要關(guān)注對(duì)于布局的簡(jiǎn)化，并使設(shè)計(jì)更加強(qiáng)勁以免受噪聲的干擾。例如，通過(guò)對(duì)引腳輸出進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)對(duì)于旁通電容器實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易的布置，并通過(guò)三線引腳，選擇電流限度，這樣就降低了對(duì)于芯片的噪聲注入并節(jié)省了電容器，最終簡(jiǎn)化了布局。

利用帶有真正差分遠(yuǎn)程檢測(cè)功能的大電流IR3847，IR解決了受到散熱和空間限制的高密度和大電流應(yīng)用方面的挑戰(zhàn)。當(dāng)與標(biāo)準(zhǔn)的分立解決方案相比時(shí)，IR3847將PCB占位空間降低了70%，僅要求具有168mm2的PCB占位面積，以提供25A的電流并在負(fù)載端的右側(cè)，總的輸出電壓精度提高了3%。競(jìng)爭(zhēng)器件一般僅具有5%或更低的精度。通過(guò)為脈沖寬度的抖動(dòng)時(shí)間大幅度降低50 ns，IR3847實(shí)現(xiàn)了更高的閉環(huán)帶寬，最終實(shí)現(xiàn)了更好的瞬態(tài)響應(yīng)和更低的輸出電容。