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            TMS320C5410燒寫Flash實現(xiàn)并行自舉引導

            作者: 時間:2004-12-06 來源:網(wǎng)絡 收藏
            摘要:介紹在環(huán)境下對Am29LV200B 存儲器進行程序,并且上電后用戶程序自舉。

            關(guān)鍵詞:Am29LV200B DSP 自舉 自舉表

              是一種可在線進行電擦寫,掉電后信息不丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快等特點,并且內(nèi)部嵌入算法完成對芯片的操作,因而在數(shù)字信號處理系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。本文通過一個完整的實例,介紹Am29LV200B Flash存儲器的方法,(以下簡稱C5410)上電后用戶程序的自舉。

            1 Am29LV200B Flash存儲器

            1.1 Flash存儲器簡介

              Am29LV200B是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,其主要特點有:3 V單電源供電,可使內(nèi)部產(chǎn)生高電壓進行編程和擦除操作;支持JEDEC單電源Flash存儲器標準;只需向其命令寄存器寫入標準的微處理器指令,具體編程、擦除操作由內(nèi)部嵌入的算法,并且可以通過查詢特定的引腳或數(shù)據(jù)線監(jiān)控操作是否完成;可以對任一扇區(qū)進行讀、寫或擦除操作,而不影響其它部分的數(shù)據(jù)。本文中128K16位Am29LV200B Flash 映射為C5410的片外數(shù)據(jù)存儲空間,地址為:0x8000~0xFFFF,數(shù)據(jù)總線16位,用于16位方式的并行引導裝載。128K的Flash ROM用32K地址分四頁進行訪問,上電加載程序時使用Flash ROM的第3頁。

            1.2 Flash存儲器的操作命令

              向Flash存儲器的特定寄存器寫入地址和數(shù)據(jù)命令,就可對Flash存儲器編程,但要按一定的順序操作,否則就會導致Flash存儲器復位。由于編程指令不能使"0"寫為"1",只能使"1"變?yōu)?0",而擦除命令可使"0"變?yōu)?1",所以正確順序是先擦除,后編程。下面就介紹幾個常用的操作命令:編程命令、擦除命令、讀數(shù)據(jù)命令、復位命令。

             ?、?編程命令。該命令向Flash的指定地址中寫入數(shù)據(jù),需要四個總線周期,前兩個是解鎖周期,第三個是建立編程命令,最后一個周期完成向編程地址中寫入編程數(shù)據(jù),如表1所列。

            表1 編程命令

            周期1(解鎖)2(解鎖)3(建立)4(編程)
            地址0x5550x2AA0x555pa(編程地址)
            數(shù)據(jù)0xAA0x550xA0pa(編程數(shù)據(jù))

              由于向每個編程地址寫入數(shù)據(jù)都需要四個周期,所以在循環(huán)寫Flash時使用宏比較簡單。Flash ROM的首地址為0x8000,故偏移地址0x555對應物理地址就為0x8555。編程程序如下:

            _WRITECOMMAND .macro pa,pd ;單一周期編程的寫命

            ;令宏,pa是編程地址,pd是編程數(shù)據(jù)

            PSHM AR1

            STM pa,AR1 ;AR1指向編程地址

            LD pd,A

            STL A,*AR1 ;把編程數(shù)據(jù)放入AR1的編程地址中

            RPT #12

            NOP

            POPM AR1

            .endm

            _WRITEFlash .macro par,pdr ;編程宏,par是編程地址寄存

            ;器,pdr是存放編程數(shù)據(jù)的寄存器

            _WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1(解鎖)

            _WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2(解鎖)

            _WRITECOMMAND #8555H, #0A0H ; 周期3(建立)

            LD pdr, A ; 周期4(編程)

            STL A, par ; 把pdr寄存器中數(shù)據(jù)放入par

            ;寄存器的地址中

            RPT #12

            NOP

            _JUDGE par, pdr ;檢測編程是否正確,見Flash

            ;的操作檢測

            .endm

            _WRITECOMMAND是實現(xiàn)一個周期編程的寫命令宏,而_WRITEFlash是完成對指定地址編程的四個完整周期。

            表2 擦除命令

            周期1(解鎖)2(解鎖)3(建立)4(解鎖)5(解鎖)6(片擦除)6(扇區(qū)擦除)
            地址0x5550x2AA0x5550x5550x2AA0x555SA(扇區(qū)地址)
            數(shù)據(jù)0xAA0x550x800xAA0x550x100x30

              ② 擦除命令。該命令有片擦除和扇區(qū)擦除兩種,都需要6個總線周期,前兩個解鎖周期,第三個建立周期,四、五兩個解鎖周期,最后是片擦除或扇區(qū)擦除周期,如表2所列。一旦執(zhí)行編程或擦除命令后,就啟動Flash的內(nèi)部編程或擦除算法,自動完成編程或擦除操作。擦除程序如下:

            _ERASEFlash .macro ;擦除宏

            _WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1(解鎖)

            _WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2(解鎖)

            _WRITECOMMAND #8555H,#080H ; 周期3(建立)

            _WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期4(解鎖)

            _WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期5(解鎖)

            _WRITECOMMAND #8555H,#010H ; 周期6(片擦除)

            STM #8555H,AR3

            LD #010H ,A

            STL A,*AR5

            _JUDGE *AR3,*AR5 ;檢測是擦除結(jié)束,見Flash的

            ;操作檢測

            .endm

              ③ 讀數(shù)據(jù)命令。上電或內(nèi)部編程、擦除操作結(jié)束后就進入讀數(shù)據(jù)狀態(tài),寫入要讀取的地址即可讀出該地址的數(shù)據(jù)。

             ?、?復位命令。它使存儲器復位,進入讀數(shù)據(jù)狀態(tài),向任何一個地址寫入數(shù)據(jù)0xF0就能使Flash存儲器復位。在進行編程、擦除之前,都應先復位,在編程或擦除等正常操作中出現(xiàn)錯誤時也要復位。復位程序如下:

            _RESETFlash .macro

            _WRITECOMMAND #8001H,#0F0H

            ;向8001H寫入0F0H使Flash復位

            RPT #12

            NOP

            .endm

            1.3 Flash的操作檢測

              Flash內(nèi)部的編程或擦除算法可自動完成編程或擦除操作,但我們必須了解其內(nèi)部的操作檢測機制,以便知道操作是否完成或正確。常用檢測的狀態(tài)位有:跳變位(DQ6)、超時標志位(DQ5)、數(shù)據(jù)查詢位(DQ7)和Ready/Busy引腳(RY/)。檢測的方法有三種。第一種是判斷引腳RY/的狀態(tài),在編程、擦除或擦除掛起操作過程中,RY/引腳一直為"0",操作完成后變?yōu)?1"。 第二種是檢測跳變位DQ6,在編程或擦除時對任何地址進行連續(xù)的讀均引起DQ6連續(xù)跳變,直至操作結(jié)束才停止跳變。最后一種是使用數(shù)據(jù)線的DQ7、DQ5:DQ7位在編程或擦除過程中輸出的數(shù)是寫入該位數(shù)據(jù)的反碼,當操作完成時輸出才變?yōu)閷懭朐撐坏臄?shù)據(jù);DQ5的狀態(tài)為"1"時表示操作超時,此時應再讀一次DQ7的狀態(tài),若DQ7輸出仍不是寫入的數(shù)據(jù),則操作失敗,復位Flash,其流程如圖1所示。

              檢測程序如下:

            _JUDGE .macro par,pdr;檢測宏程序。par是編程地址寄存

            ;器,pdr是存放編程數(shù)據(jù)的寄存器

            _JUDGEBEGIN?: PSHM AR1

            LD pdr,B ;獲取寫入的數(shù)據(jù)

            AND #00FFh,B ;取被寫入數(shù)據(jù)的DQ7~DQ0

            LD par,A ;讀被地址的數(shù)據(jù)

            AND #00FFh,A ;取DQ7~DQ0

            STL A ,TEMP ;保存

            LD A,-7,A ;讀DQ7狀態(tài)

            XOR B,-7,A ;是否是反碼?

            BC _JUDGESUCCESS?,AEQ

            ; DQ7不是反碼而是寫入數(shù)據(jù)表示操作成功

            BITF TEMP,#20h

            BC _JUDGEBEGIN?,ntc

            ;DQ5=1表示操作超時

            LD par,A ;再讀被燒寫地址的數(shù)據(jù)

            AND #00FFh,A

            LD A,-7,A

            XOR B,-7,A

            BC _JUDGESUCCESS?,AEQ

            ; DQ7不是寫入數(shù)據(jù),表示操作失敗

            _JUDGEERRO?

            _RESETFlash ;復位Flash

            _JUDGESUCCESS?

            POPM AR1

            .endm

            2 C5410 的自舉引導

              脫離仿真器獨立運行程序一般有兩種方式:一種是上電后用戶程序直接在Flash存儲器中運行,這種運行速度比較慢;另一種是上電或復位后將用戶程序從Flash存儲器引導到高速數(shù)據(jù)存儲器中運行,此方法最常用,可以較低的成本實現(xiàn)高速的運行。為了實現(xiàn)這個過程就必須運用DSP自舉引導功能。

             ?。?)自舉引導

              C5410上電復位后,首先檢查MP/MC狀態(tài):如果為高電平,說明DSP處于微處理器工作方式,即從外部程序存儲器0FF80H地址開始執(zhí)行用戶程序;若為低電平,說明DSP被設置為微計算機工作方式,從片內(nèi)ROM的0FF80H地址開始執(zhí)行程序。0FF80H地址存放的是中斷向量表,它實為一條分支轉(zhuǎn)移指令(BD 0F800H),使程序跳轉(zhuǎn)至0F800H執(zhí)行自舉引導程序(Bootloader)。Bootloader是固化在DSP芯片內(nèi)ROM中的一段程序代碼,其功能是將用戶程序從外部加載至片內(nèi)RAM或擴展的RAM中,使其高速運行。在搬運程序之前,Bootloader首先完成初始化工作:使中斷無效,內(nèi)部RAM映射到程序/數(shù)據(jù)區(qū)(OVLY=1),對程序和數(shù)據(jù)區(qū)均設置7個等待狀態(tài)等。C5410有以下幾種自舉引導方式:主機接口HPI、并行口(8/16位)、標準串行口(MCBSP0是16位引導模式,MCBSP2是8位引導模式)以及I/O口(8/16位)自舉引導方式。

             ?。?)并行自舉引導

              這種方式是比較常用的一種,外部存儲器的字寬為8位或16位。在自舉引導時,通過外部并行接口總線將這些代碼從數(shù)據(jù)存儲空間傳送到程序存儲空間,而且可以重新設置SWWSR及BSCR寄存器的內(nèi)容。并行自舉引導方式首先從地址為0FFFFH的I/O口讀取自舉表首地址的內(nèi)容,如果此內(nèi)容不符合8位或16位的引導方式,就從地址為0FFFFH的數(shù)據(jù)存儲器讀取,進行8位或16位并行自舉引導。所以,在燒寫Flash數(shù)據(jù)的同時,也要在0FFFFH燒入自舉表的首地址。引導流程如圖2所示。

            (3)建立自舉表

              自舉表內(nèi)容不僅包括欲加載的各段代碼,而且包括各段代碼長度、各代碼段存放的目標地址、程序入口地址等信息。若要完成自舉引導功能,必須建立正確的自舉表。自舉表可以由hex500格式轉(zhuǎn)換器自動生成;也可以手動建立自舉表,就是把被燒寫的程序直接放在燒寫程序中,根據(jù)被燒寫程序的相關(guān)信息手動建立自舉表。

            3 C5410 燒寫Flash和并行自舉引導

              下面通過一個Flash燒寫實例,介紹怎樣將用戶程序燒寫進Flash,以及怎樣手動建立自舉表,并且脫離仿真器以并行自舉引導方式使用戶程序獨立運行。被燒寫和燒寫程序如下:

              .title "FLASH"

              .mmregs

            SWCR .set 002BH

            TEMP .set 0060H

              .data

              .sect ".BOOT"

              .label BOOTTABLE ; 自舉表開始

              .word 10AAH ; 16位自舉標記

              .word 7FFFH ; 7個等待周期(SWWSR)

              .word 0F000H ; 塊轉(zhuǎn)換寄存器(BSCR)

              .word 0000h ; 程序入口XPC

              .word 0200h ; 程序入口地址(MAIN_START)

              .word LOADEND - LOADSTART

              ; 程序塊長度(0116H)

              .word 0000h ; 存放目標XPC

              .word 0100h ; 存放目標地址

            LOADSTART: ;中斷向量表開始地址

              .copy "vector.asm";復位處跳轉(zhuǎn)MAIN_START

            MAIN_START: ;被燒寫的主程序

              STM #0F7h,SP

              STM #012Ch,PMST

              ;IPTR=01(中斷向量指針為100,指向目標地址),MP/MC=0,OVLY=1,AVIS=0,DROM=1, CLKOFF=1

            LOOPF:RSBX XF ;XF置低

              CALL DELAY ;延時

              SSBX XF ;XF置高

              CALL DELAY

              B LOOPF

            DELAY:PSHM AR6

              STM #0090H,AR6

            DELAY_LOOP:

              RPT #0FF0h

              NOP

              BANZ DELAY_LOOP,*AR6-

              POPM AR6

              RET

            LOADEND ; 被燒寫的程序結(jié)束

              .space 20h

              .mmregs

              .label FINDTABLE

              .word 8000h

              .text

            ERASE_WRITE_Flash: ;燒寫程序開始

              STM #0FFA0H,PMST

              STM #07FFFH,SWWSR

              STM #0FFFFH,SWCR

              _RESETFlash ; Flash復位

              _ERASEFlash ;擦除Flash

            WRIFlashSTART: ;開始編程Flash

              SSBX SXM

              RSBX OVM

              _RESETFLASH ; Flash復位

              STM #8000H,AR0 ;Flash起始地址8000H

              STM BOOTTABLE,AR5 ;被燒寫的源地址(自舉

             ??;表首地址)

              STM #( LOADEND- BOOTTABLE),AR4

              ; 寫入011E個字

            WRI_RPT

              _WRITEFlash *AR0,*AR5 ;調(diào)入編程宏

              LD *AR0+,A

              LD *AR5+,A ;完成AR0和AR5地址自動加1

              BANZ WRI_RPT,*AR4-

              STM #0FFFFH,AR0; AR0指向數(shù)據(jù)空間的FFFF

             ?。坏刂?/P>

              STM FINDTABLE,AR5

              _WRITEFlash *AR0,*AR5 ; 向數(shù)據(jù)空間的FFFF

            ;地址寫入自舉表的首地址8000H

            ENDD: NOP

              B ENDD

              .end

              被燒寫的主程序是從MAIN_START開始,一直到LOADEND。程序的主要功能是不斷改變XF引腳的狀態(tài)。LOADSTART是中斷向量文件(vector.asm)的開始,在中斷復位(RESET)處放入一條跳轉(zhuǎn)到MAIN_START指令(BD MAIN_START)。ERASE_WRITE_FLASH是燒寫程序的開始,只要程序指針( PC)指向ERASE_WRITE_FLASH,開始運行就可以完成對Flash的燒寫操作。從自舉表首地址BOOTTABLE (0F8H)到LOADEND(0216H)存放的數(shù)據(jù)就是要寫入Flash的內(nèi)容,從LOADSTART到LOADEND的數(shù)據(jù)是DSP自舉程序從Flash搬運到片內(nèi)RAM的程序,具體如下:

            00F8H: BOOTTABLE ; 自舉表開始

            0100H: LOADSTART ;中斷向量表首地址

            0100H: RESET :BD MAIN_START

            ... ;中斷向量表的內(nèi)容

            0178H: RESERVED

            0200H: MAIN_START

            ... ;主程序

            0216H: LOADEND

              被燒寫的程序只需一個段,根據(jù)以上信息就可以完成自舉表的內(nèi)容,如表3所列。

            表1 自舉表

            數(shù)據(jù)區(qū)地址內(nèi) 容含 義
            8000H10AA16位自舉標記
            8001H7FFFSWWSR
            8002HF000BSCR
            8003H0000程序入口XPC
            8004H0200程序入口地址
            8005H0123程序段長度
            8006H0000存放目標XPC
            8007H0100存放目標地址
            8008HF273程序代碼1
            8009H0200程序代碼2
            ………………
            811DHFC00程序代碼
            811EH0000結(jié)束
            ………………
            FFFFH8000自舉表存放首地址

              整個并行自舉引導過程為:C5410上電復位后,判斷MP/MC=0 處于微計算機工作方式,從片內(nèi)ROM的0FF80H處執(zhí)行中斷向量表的分支轉(zhuǎn)移指令(BD 0F800H),使程序跳轉(zhuǎn)至0F800H處執(zhí)行自舉引導程序。自舉引導程序完成初始化后,讀取數(shù)據(jù)空間的0FFFFH地址的內(nèi)容,找到自舉表首地址8000H,從8000H處開始讀取內(nèi)容。首先,是16位自舉標記(10AA)。然后分別是寄存器SWWSR及BSCR的內(nèi)容,程序入口地址、代碼段長度、存放代碼段的目標地址等信息。最后,根據(jù)這些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬運到片內(nèi)RAM的100H開始的地址中,跳轉(zhuǎn)至片內(nèi)RAM 100H、即PC為100H、XPC為0,開始執(zhí)行用戶程序,完成用戶程序的并行自舉過程。

            結(jié) 語

              把程序燒寫入Flash后,復位C5410,使其處于微計算機工作方式;使用示波器測試XF引腳,觀察程序運行正確與否。通過上述方法可完成C5410對Am29LV200B Flash 的燒寫,很好地實現(xiàn)了C5410上電后的用戶程序自舉引導功能。



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