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            EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于MK6A11P單片機(jī)的寬電壓智能型爆閃燈的設(shè)計(jì)

            基于MK6A11P單片機(jī)的寬電壓智能型爆閃燈的設(shè)計(jì)

            作者: 時(shí)間:2010-12-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            摘要 利用MK6A11P設(shè)計(jì)的寬電壓智能型爆閃燈,這種爆閃燈自動(dòng)調(diào)節(jié)高壓充電速率及電壓,減輕了開關(guān)管和充電電容負(fù)擔(dān),并且具有多種工作模式,具有過(guò)壓、過(guò)溫保護(hù)等功能,可在10~48 V寬電壓范圍工作。由于使用了性價(jià)比很高的MK6A11P,整體電路簡(jiǎn)單,工作穩(wěn)定,產(chǎn)品的一致性好、成本低。
            關(guān)鍵詞 MK6A11P;智能;爆閃燈;寬電壓

            MK6A11P單片機(jī)具有較強(qiáng)的抗干擾能力,內(nèi)含RC振蕩器、看門狗及復(fù)位電路,與其他系列單片機(jī)相比,省去了很多外圍元件,且格低廉,適用于各種工業(yè)用小型產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。
            利用該芯片和NE555芯片組合設(shè)計(jì)的智能型爆閃燈,具有整體電路簡(jiǎn)單、工作穩(wěn)定,產(chǎn)品的一致性好,極大地提高批量生產(chǎn)能力和競(jìng)爭(zhēng)能力。

            1 利用MK6A11P的寬電壓智能型爆閃燈
            1.1 整體電路框圖
            整體電路框圖如圖1所示,由溫度檢測(cè)、過(guò)壓檢測(cè)、工作模式設(shè)置、能量調(diào)節(jié)及驅(qū)動(dòng)、高壓檢測(cè)及脈沖觸發(fā)部分組成,從而使爆閃燈具有完善的保護(hù)功能和自適應(yīng)功能。

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            1.2 MK6A11P單片機(jī)的特性
            MK6A11P是RISC高性能的8位單片機(jī),內(nèi)部包含1 kbit×14 bit的OTP方式的ROM,48個(gè)8位RAM和一個(gè)8位定時(shí)/計(jì)數(shù)器。內(nèi)含上電復(fù)位、低電壓復(fù)位、外部復(fù)位、WDT復(fù)位。具有外部RC、LS晶振、NS晶振、HS晶振和內(nèi)部4 MHz RC振蕩器,有8腳和14腳封裝,I/O口在輸入狀態(tài)下,可置為上拉電阻或下拉電阻模式,可省去外部的上拉電阻。
            1.3 同步方式的反激式升壓電路設(shè)計(jì)
            利用簡(jiǎn)單電路設(shè)計(jì)能量可控制的反激式升壓器是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。MK6A11P單片機(jī)I/O的輸出電壓約為4.5 V,驅(qū)動(dòng)電流較小,因此不能直接驅(qū)動(dòng)MOSFET。如果利用電平變換方法驅(qū)動(dòng)也可以,但是一旦程序進(jìn)入“死循環(huán)”,I/O的狀態(tài)是不定的,因此不能及時(shí)關(guān)斷MOSFET開關(guān)管(死循環(huán)時(shí)內(nèi)部的看門狗能自動(dòng)復(fù)位,但時(shí)間是ms量級(jí),不能保護(hù)開關(guān)管),即可損壞開關(guān)管。
            因此需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器具有1O V/300 mA以上的驅(qū)動(dòng)能力,可設(shè)置能量?jī)?chǔ)存值,可快速關(guān)斷開關(guān)管,且價(jià)格低廉。
            NE555是通用的定時(shí)器芯片,輸出電壓為5~15 V,輸出電流可達(dá)500 mA。內(nèi)有2個(gè)比較器,比較點(diǎn)電壓分別是UF和UF/2,圖2所示,當(dāng)2腳的電壓低于UF/2時(shí)輸出為高電平,6腳的電壓高于UF時(shí)輸出為低電平。利用此特性設(shè)計(jì)出同步方式的轉(zhuǎn)換能量可改變的反激式變換器。
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            關(guān)鍵詞: 單片機(jī)

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