奇夢達推出DDR366移動RAM——業(yè)界首款性能高達183兆赫的移動RAM，滿足移動應用不斷增長的帶寬需求，同時實現(xiàn)最低功耗

奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布推出全球首款183兆赫雙數(shù)據(jù)速率同步移動RAM（DDR366）。這款全新的存儲器件采用60球細密球型網(wǎng)數(shù)組封裝（FBGA封裝），存儲容量為512Mb, 工作電壓為1.8V，符合JEDEC DDR標準。為提高系統(tǒng)制造商對高帶寬市場需求的回應，奇夢達率先推出的183赫茲移動RAM將以其低功耗滿足具有多種應用的消費類手持終端不斷增長需求。

“從多媒體手機到MP3音頻/視頻播放器和數(shù)碼相機等各類便攜式終端日益普及，拉動了市場對高性能和低功耗存儲解決方案的需求?！逼鎵暨_管理委員會成員Thomas Seifert指出，“隨著這些移動電子產(chǎn)品功能越來越豐富，相關芯片必須能夠支持高性能特性，同時不會導致整體功耗大幅上升。隨著首款183兆赫1.8V移動RAM的推出，奇夢達進一步鞏固了自己在面向便攜式終端的高速度、低功耗存儲解決方案領域的領先地位。”

這款全新高速移動RAM的數(shù)據(jù)傳輸速率為366兆比特/秒，比標準DDR266 DRAM快30%。在系統(tǒng)設計不改變的前提下，該性能記錄是采用常規(guī)BGA封裝方式實現(xiàn)的。作為移動RAM市場的領導者，奇夢達與主要的客戶和領先處理器廠商密切合作，確保2007年推出的系統(tǒng)平臺的互通性。

這款移動RAM不但具備電池供電設備所需的超低功耗，而且采用了適用于板卡空限受限產(chǎn)品的極其緊湊的芯片級封裝。立足于自身的節(jié)電型溝道技術，以及電源管理特性，例如TCSR（溫度補償自刷新）、PASR（部分陣列自刷新）、OTCS（片上溫度傳感器）和DPD（深度省電）模式，奇夢達在最新推出的移動RAM上實現(xiàn)了工作電流最小化，從而延長了電池工作時間。