δ===0.11mm

查表1可知，EM（δ1）=0.10mJ，EM（δ2）=0.23mJ，而算出的EM=0.19mJ，恰好在0.10～0.23mJ之間，滿足式（4）的規(guī)定條件，由此證明所選磁芯是合適的。為便于加工，實(shí)際氣隙寬度可取整數(shù)值0.1mm。

3）一次繞組匝數(shù)NP計(jì)算公式為

NP= （5）

根據(jù)計(jì)算結(jié)果找出一個(gè)最接近于NP值的整數(shù)值，作為一次繞組的實(shí)際匝數(shù)。將δ=0.1mm，BM=275mT，IP=330mA，代入式（5）中，得到NP=133.2匝≈134匝。

4）二次繞組匝數(shù)NS

按下式計(jì)算NS并取整數(shù)值

NS=·NP （6）

式中，UF3為輸出整流管的正向壓降。實(shí)取UO=5V，UF3=0.4V（采用肖特基二極管），n=17，NP=134匝，代入式（6）中求出NS=8.5匝，取整數(shù)值8匝。

5）反饋繞組匝數(shù)NF

當(dāng)電源電壓UCC確定后，可按下式計(jì)算NF值

NF=·NS （7）

將UCC=15V，UO=5V，UF2=0.7V代入式（7）中求得，NF=22.04匝，取整數(shù)值22匝。

3.3 計(jì)算過流檢測電阻RI

過流檢測電阻用來限定IP值，亦即MOSFET的最大漏極電流ID(max)。RI上最大壓降的典型值為URI=0.5V。RI的阻值可用下式求出

RI≤= （8）

當(dāng)IP=330mA時(shí)，由式（8）計(jì)算出RI=1.5Ω。其最大功耗P=IPURI=0.165W，實(shí)選0.5W的電阻。

3.4 計(jì)算退磁電阻RAUX

計(jì)算退磁電阻的公式為

RAUX=0.7nUO （9）

式（9）中電阻的單位是kΩ。取UO=5V，n=NP／NS=134/8=16.75≈17，將nUO=85V代入式（9）中不難算出，RAUX=60kΩ。圖2中實(shí)取75kΩ。

3.5 確定電源電壓UCC

TEA1520系列的電源電壓典型值約為13V，實(shí)際可取20V以下。計(jì)算公式為

UCC=·(UO＋UF2)－UF2 （10）

式中的UF2代表反饋電路中整流管VD2的正向壓降。將NF=22匝，NS=8匝，UO=5V，UF2=0.7V一并代入式（10）中，得到UCC=15V。