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            EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 新品快遞 > IR推出專攻高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型大功率150kHz IGBT

            IR推出專攻高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型大功率150kHz IGBT

            作者:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 時(shí)間:2003-03-11 來(lái)源:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 收藏

            功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT,額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良,適用于電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開(kāi)關(guān)電路。

            全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價(jià)格比,提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝,性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。

            中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富先生表示:“特別是在價(jià)格與性能同樣重要的應(yīng)用中,最新WARP2 IGBT器件是功率因數(shù)校正 (PFC) 及零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 應(yīng)用系統(tǒng)的最佳選擇。器件的通態(tài)損耗低于功率MOSFET,可創(chuàng)造更大效益,其拖尾電流極短,能有效工作于150kHz或以下頻率?!?/P>

            嚴(yán)國(guó)富先生稱,IGBT的電流密度優(yōu)于功率MOSFET,可減低器件數(shù)目,有助節(jié)省成本和改善功率密度。

            全新WARP2 IGBT以的薄晶片技術(shù)制成,確??s短少數(shù)載流子耗盡時(shí)間,加快關(guān)斷過(guò)程。此外,器件的拖尾電流極短、關(guān)斷切換損耗 (EOFF) 極低,可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高工作頻率。

            WARP2 IGBT憑著更完善的開(kāi)關(guān)性能,配合正溫度系數(shù)特性和更低柵開(kāi)通電荷,有效提高電流密度。若以并聯(lián)模式操作,它們可以像功率MOSFET一樣發(fā)揮極佳的電流均分性能。與功率MOSFET不同,它們的通態(tài)損耗能保持固定不變。

            在TO-247封裝內(nèi),全新IGBT能處理高達(dá)50A電流,電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出85%;若采用TO-220封裝,則可處理高達(dá)20A電流,電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出18%。

            新器件現(xiàn)已投入供應(yīng)。數(shù)據(jù)表詳載于IR網(wǎng)站www.irf.com



            關(guān)鍵詞: IR 模擬IC 電源

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