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            A7芯片納米制式與三星Exynos 5410相同

            作者: 時(shí)間:2013-09-26 來(lái)源:weiphone 收藏

              9月25日消息,拆解團(tuán)隊(duì)iFixit和Chipworks今天聯(lián)手為我們帶來(lái)了蘋(píng)果芯片的拆解,揭開(kāi)了這枚處理芯片的神秘內(nèi)部構(gòu)造。根據(jù)兩個(gè)團(tuán)隊(duì)的拆解結(jié)果,我們得知依然是由三星代工,該芯片采用的是28HiKmetalGate制式——與三星在Galaxy旗艦手機(jī)上使用的八核Exynos5410處理芯片采用的制式相同。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/170335.htm

              本次拆解還告訴我們,芯片內(nèi)部的晶體管間距為114,與A6芯片的123相比縮小了少許。Chipworks表示,兩代芯片的晶體管間距差意味著A7只要使用77%的處理面積即可達(dá)到A6芯片的性能。剩下的23%,也就是A7和A6在處理性能上的差距所在。

              繼iPhone5s的整機(jī)拆解之后,我們現(xiàn)在對(duì)iPhone5s的處理芯片又有了更深一步的了解。然而,iPhone5s的內(nèi)部探索工作還未結(jié)束,Chipworks和iFixit表示他們隨后還會(huì)帶來(lái)M7協(xié)處理器以及全新iSight攝像頭的拆解。



            關(guān)鍵詞: A7 納米

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