一種電流模式PFM型LED驅(qū)動(dòng)IC的設(shè)計(jì)
加入技術(shù)交流群
由于M1和M2柵極的電位相同，故有：
由于(W/L) 2=K (W/L) 1， 則：
因此可得到：
從而得出N管偏置電壓和P管偏置電壓為：
同時(shí)，該模塊還設(shè)計(jì)有欠壓保護(hù)電路，利用R網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，并采用上拉電阻鉗位，可使電壓在低于2.5V情況下強(qiáng)制關(guān)斷芯片，從而提高電源的利用效率。
2.2 高電源抑制比基準(zhǔn)電壓源
基于0.5μm CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)計(jì)一種不隨溫度、電源電壓以及工藝變化的高電源抑制比基準(zhǔn)電壓源的電路結(jié)構(gòu)如圖3所示。在室溫下，該基準(zhǔn)源具有零溫度系數(shù)，且在-40℃～120℃范圍內(nèi)電壓變化很小，其溫度系數(shù)可達(dá)3ppm/℃數(shù)量級(jí)。
圖3 基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)
基爾霍夫電流相關(guān)文章:基爾霍夫電流定律
評(píng)論