電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電感值。電感值可通過(guò)下面的方程式4)計(jì)算得出：

　　這里，fs為開關(guān)頻率，VOUT為輸出電壓，VIN為輸入電源電壓，ΔIL為電感紋波電流。
輸出電容影響輸出電壓紋波，而較小的輸出電壓紋波可降低水波紋干擾(waterfall noise)。一般而言，輸出電容值越大，輸出紋波電壓就越小。輸出紋波ΔVOUT的計(jì)算公式如下所示：

　　這里，COUT是輸出電容，ESR是輸出端的等效串聯(lián)阻抗。

飛兆半導(dǎo)體的功率解決方案

　　電源設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢(shì)主要是通過(guò)降低損耗來(lái)提高效率。電源系統(tǒng)要想獲得高效率，選擇具有低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))和柵極電荷(Qg)特性的開關(guān)器件十分重要。飛兆半導(dǎo)體在中壓MOSFET(BVDSS:100 ~ 200V)中引入了新的溝槽技術(shù)，使其具有較低的柵極電荷特性和出色的額定導(dǎo)通阻抗，從而能夠降低開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗。特別是在應(yīng)用中，控制MOSFET的開關(guān)損耗是提高效率的關(guān)鍵所在，因?yàn)镸OSFET工作在硬開關(guān)條件下。飛兆半導(dǎo)體新推出的溝槽技術(shù)MOSFET，具有更低的柵極電荷與導(dǎo)通阻抗，針對(duì)升壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了充分優(yōu)化。表2顯示了采用FDD86102與采用同類傳統(tǒng)MOSFET的比較結(jié)果。

　　由于柵漏電容(米勒電容)的減小，F(xiàn)DD86102的總柵極電荷相比傳統(tǒng)器件減少了40%。在高頻應(yīng)用中，柵極電荷減少的一個(gè)好處是降低了開關(guān)損耗，從而提高了高頻應(yīng)用的效率。