肖特基勢壘整流器一般用在單晶硅和多晶硅光伏(PV)面板的旁路二極管中，在出現低分流和高分流阻抗時，保護過熱點的光伏電池(參考圖1)。

圖1A，電視版中的低分流阻抗單元

圖1B，電池板中的高分流阻抗單元

在旁路應用中，肖特基勢壘整流器可發(fā)揮低正向電壓降的優(yōu)勢，而且比普通P-N結整流器的功率耗散更小。然而，這種器件也具有低反向電壓擊穿的缺點，很容易因ESD(靜電放電)的電過應力(EOS)和感應的高電壓而損壞。圖1顯示的是，一個肖特基整流器在250V電壓下施加高電壓8/20 μs脈沖后失效的測試結果。

圖1，肖特基整流器在250V電壓和一個8/20 μs脈沖(2-Ω線阻)情況下失效。

ESD——靜電放電

光伏電池是用層壓膜與玻璃或透明的二氧化硅板壓到一起，或是用環(huán)氧樹脂材料粘在一起。玻璃、化學材料平板和層壓薄膜都很容易產生ESD，ESD的強度取決于表面直徑。ESD可能損壞肖特基整流器的芯片端，主要是通過過熱失效的方式(圖2A和2B)。

圖2A和2B：在肖基特芯片由ESD造成的過熱痕跡。

大多數旁路二極管的最大擊穿電壓只有45V到60V。然而，它們能處理的ESD也較低。Vishay的SB15H45和150SQ045的典型ESD為25KV(空氣放電)，采用10個100pF/1.5KΩ(per IEC61000-4-2)的脈沖。這些器件的測試結果參見表1。

表 1: SB15H45和 150SQ045的25KV 戶外空氣放電測試結果

這種ESD防護能力還不足以在為所有ESD狀況或從電源線和其他來源感應的高電壓提供保護。一個脈沖寬度為60ns的典型ESD波形如圖3所示。

由ESD和浪涌造成失效之間的區(qū)別是，他們涉及的失效器件的數量是不同的。在大多數由ESD引起的失效故障中，在接線盒里的兩個或三個器件當中的某一個會失效。而浪涌會損毀所有的旁路二極管。

圖3：典型的ESD波形。

反應能量和感應能量

當高功率電纜與太陽能電池板的電纜交錯或是平行擺放時，反應能量和感應能量也可能引起旁路二極管的失效。這種情況非常少見，也很難通過標準化的措施加以避免。

當接線盒與電路斷開，存儲在電纜里的能量會反作用到接線盒里的旁路二極管，這時就會產生反應能量。能量等級取決于電纜的長度和供電電壓。

大多數肖特基整流器的雪崩容量低于20mJ，還不足以應付反應能量。但Vishay的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)的雪崩能量可以從1/4焦耳到2焦耳。

圖4，標準8/20 μs IEC61000-4-5波形與350V和2-Ω線路阻抗條件下的旁路二極管

圖4顯示給接線盒中的3個旁路二極管施加350V(2-Ω線路阻抗)的測試結果。由于產生了電短路，所有3個旁路二極管都失效了。

TVS硅雪崩擊穿二極管可以用來保護旁路二極管免受來自閃電、高電荷的表面能量，以及高壓電源線等其他來源的感應電的高功率瞬態(tài)和浪涌的損害。為保護二極管免受此類瞬態(tài)和浪涌的損害，最好能在每個旁路二極管旁邊并聯一個TVS器件，如圖5所示。

圖5，Vishay TVS器件與每個旁路二極管并聯

上面的電路結構能夠在光伏電池板的生產、現場安裝過程中，以及驅動光伏系統時發(fā)生任何瞬態(tài)和浪涌的情況下，極好地保護旁路二極管。另一種解決辦法是在每個接線盒上加上一個TVS器件，如圖6所示。這種辦法也能保護旁路二極管免遭大多數瞬態(tài)和浪涌。

圖6，TVS器件與每個旁路二極管串并聯

為旁路二極管保護選擇TVS

在為光伏電池板和接線盒里的旁路二極管選擇TVS時，有幾個因素需要加以考慮。首先是TVS的耐壓。耐壓的意思是施加到器件上的電壓沒達到這個電壓時，TVS器件是不工作的。這個電壓比光伏電池板在瞬間高壓試驗的VOC高，是常規(guī)峰值VOC的1.4到1.6倍。

常規(guī)Voc與瞬間高壓試驗時的Voc

而且，TVS的功率等級應當根據應用的瞬態(tài)和浪涌能量的級別而定。軸向的P6KE和SMBJ系列表面貼裝器件的雪崩容量是1/4焦耳，足以對ESD和來自短電纜的反應能量提供保護。出于為旁路二極管和太陽能電池面板提供高功率瞬態(tài)和浪涌保護的目的，1.5KE和5KP系列軸向SMCJ器件針對出現的多數ESD、反應和感應浪涌，以及瞬態(tài)情況，提高了接線盒的可靠性。

測試結果

下表比較了在標準和非標準ESD測試條件下，肖特基整流器的旁路二極管功能。

表2是在標準IEC61000-4-5 ESD測試條件下肖特基整流器的ESD測試結果，器件是在懸浮條件下測試。

表2：肖特基整流器的ESD測試結果

表3顯示的是在非標準IEC61000-4-5 ESD測試條件下，一個肖特基整流器和一個并聯了TVS的肖特基整流器的ESD測試結果，整流器的一個引線接地。

表3：肖特基整流器和TVS的ESD測試結果

圖7是3個在750V和2 Ω線路阻抗條件下失效的3個旁路二極管與600-W P6KE52A TVS并聯的測試結果。

圖7，P6KE52A TVS與3個串聯的旁路二極管并聯

圖8顯示的是3個旁路二極管與一個5,000-W 5KP85A TVS并聯的測試結果。器件在1000V和2 Ω線路阻抗的條件下也沒有失效，流過TVS的電流大于417A。