如圖所示電路提供了一種驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的解決方案，即利用工作在“降壓”模式的標(biāo)準(zhǔn)升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED．這種解決方案的效率高達(dá)96％，與效率只有85％的標(biāo)準(zhǔn)方案相比，它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。

圖 ZXSC310的典型應(yīng)用電路

當(dāng)MOSFET（VT1）導(dǎo)通時(shí)，電流從輸入流過(guò)白光LED、并聯(lián)濾波電容器（C2）、電感（L1）、VT1及檢測(cè)電阻（R1），其電流值由檢測(cè)電阻值和ZXSC310的檢測(cè)電壓閾值（通常為19mV）所決定。

一旦電流達(dá)到所設(shè)定的相應(yīng)峰值電流，MOSFET就關(guān)斷并保持1.7ms。在這個(gè)時(shí)間內(nèi)，儲(chǔ)存在電感內(nèi)的電能通過(guò)肖特基二極管轉(zhuǎn)移到白光LED，從而保持白光LED的亮度。

該電路對(duì)輸入電壓和串聯(lián)白光LED的數(shù)量沒(méi)有限制，為適用更高的輸入電壓，必須適當(dāng)?shù)卣{(diào)整C1，R2，VT1，C2，和VT1的值以適應(yīng)輸入電壓的變化。對(duì)于更大數(shù)目的白光LED、最小輸入電壓必須大于串聯(lián)白光LED的正向電壓降。

通過(guò)采用降壓模式的升壓變換器方案，可以用一個(gè)低端N溝道MOSFET替代典型降壓型變換器中常見(jiàn)的高端P溝道MOSFET。N溝道MOSFET器件的固有導(dǎo)通損耗比尺寸相同的P溝道MOSFET器件的導(dǎo)通損耗低3倍。當(dāng)然，在典型的降壓變換器電路中也可以使用N溝道MOSFET，但需要額外自舉電路對(duì)它進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。低端開(kāi)關(guān)的峰值檢測(cè)電流也可以地為參考。與高端電流檢測(cè)相比，它可提高精度并減小噪聲。

通過(guò)在間斷工作模式下采用升壓方法，控制回路可工作在電流模式下，并為變換器提供周期性控制，這使得該變換器從根本上保持了穩(wěn)定。與電壓模式的降壓變換器相比，設(shè)計(jì)可以得到簡(jiǎn)化。

上述方案的另外一個(gè)特點(diǎn)是：因?yàn)楫?dāng)電感處于充電狀態(tài)時(shí)電流流過(guò)白光LED，所以白光LED電流的峰值均將減小，這樣在相同白光LED亮度下可將峰值電流設(shè)置得更小，從而進(jìn)一步改善效率、可靠性及輸人噪聲性能。