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            EEPW首頁(yè) > 光電顯示 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 溫度對(duì)LED性能的影響

            溫度對(duì)LED性能的影響

            作者: 時(shí)間:2012-05-02 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            摘要:從發(fā)光原理出發(fā),結(jié)合實(shí)驗(yàn)將紅藍(lán)橢圓燈分別在室溫和85℃的恒溫箱中用20 mA電流點(diǎn)亮168 h后測(cè)試其法向光強(qiáng)及正向電壓,然后分析了PN結(jié)和環(huán)境對(duì)。
            關(guān)鍵詞:;橢圓燈;法向光強(qiáng);正向電壓;PN結(jié)

            0 引言
            與傳統(tǒng)光源相比,LED光源為固體冷光源,具有壽命長(zhǎng),光效高,無(wú)輻射,功耗低,抗沖擊和抗震好,可靠性高等特性。在全球提倡綠色照明的今天,LED作為新型綠色照明光源受到全球的追捧。然而,在LED高速發(fā)展的同時(shí),如何進(jìn)一步提高LED的壽命及可靠性確是迫在眉睫的事。本文從理論和實(shí)驗(yàn)出發(fā),研究并分析了對(duì)LED,從而提出可以提高LED的壽命和可靠性問(wèn)題的方法。

            1 LED發(fā)光原理
            LED是一種半導(dǎo)體二極管,核心發(fā)光部分為P型和N型半導(dǎo)體構(gòu)成的PN結(jié),LED除了具有一般PN結(jié)特性外,還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區(qū)注入P區(qū).空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合而發(fā)出光子,發(fā)光原理如圖1所示。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/168096.htm

            c.JPG



            2 溫度對(duì)LED性能的
            2. 1 溫度對(duì)LED發(fā)光強(qiáng)度的影響
            當(dāng)PN結(jié)溫度上升時(shí),半導(dǎo)體的晶格振動(dòng)幅度增加,當(dāng)原子的振動(dòng)能量高于一定值時(shí),電子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)會(huì)與晶格原子(或離子)交換能量,發(fā)生無(wú)輻射躍遷。這種過(guò)程的幾率隨溫度的增加而呈指數(shù)式增加。因此,當(dāng)溫度上升到一定程度之后,半導(dǎo)體的尢輻射躍遷增加,內(nèi)量子效率降低,從而導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度下降。
            當(dāng)溫度上升時(shí),LED封裝用環(huán)氧樹(shù)脂會(huì)逐漸變性,發(fā)黃,從而影響環(huán)氧樹(shù)脂的透光性能,導(dǎo)致外量子效率降低,發(fā)光強(qiáng)度下降。
            2. 2 溫度對(duì)LED正向電壓的影響
            正向電壓是判定LED性能的一個(gè)重要參數(shù)。通常InGaA1P LED 20 mA正向電流下的正向電壓在1.8~2. 2 V之間,InGaN LED的正向電壓處在3.0~3 6 V之間。在小電流近似下,LED的正向電壓可表示為:
            d.JPG
            式中,Vf為正向電壓,If為正向電流,I0為反向飽和電流,q為電子電荷,k是玻爾茲曼常數(shù),Rs是串聯(lián)電阻,n是表征PN結(jié)完美性的一個(gè)參量,處在1~2之間。式(1)右邊的反向飽和電流I0與溫度密切相關(guān),I0值隨溫度的升高而增大,導(dǎo)致正向電壓
            Vf下降。


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            關(guān)鍵詞: 影響 性能 LED 溫度

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