--全球第一款熔融狀態(tài)切斷的熔絲可防止低介電系數(shù)材料開裂--

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出一種用于65nm（納米）工藝的銅電子熔絲技術(shù)，其低介電常數(shù)不會導(dǎo)致低介電系數(shù)材料的開裂，因此具有很高的可靠性。

這種新技術(shù)在全球首次實現(xiàn)了利用熔融狀態(tài)下切斷銅熔絲的方法來防止低介電系數(shù)材料的開裂。該技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于65nm制造工藝的試驗階段，且已被證實可提供以下卓越的性能：1.一根熔絲切斷所需的時間少于10μs。2.在熔絲完好無損的條件下，熔絲切斷后的電流值可以減少到5位數(shù)或更大值。3.切斷的熔絲的高溫老化測試沒有顯示出退化，這表明了一種高度的可靠性。

瑞薩科技將出席2006年先進(jìn)金屬處理會議（ADMETA2006）：第16屆亞洲會議于9月25日在日本東京舉行。

<背景>
熔絲廣泛用于大規(guī)模集成電路（LSI）器件，包括存儲器修補(bǔ)和穩(wěn)壓電路的冗余電路*1。熔絲是這類器件的一種重要構(gòu)成技術(shù)。過去，都是采用激光切斷等技術(shù)來切斷熔絲。不過最近幾年，采用電流切斷的電子熔絲的開發(fā)工作獲得了進(jìn)展。一般地說，電子熔絲具有以下的特性。

a）熔絲能夠在成型后切斷，進(jìn)而有助于實現(xiàn)更高的產(chǎn)量。
b）無需使用激光微調(diào)系統(tǒng)，可以有效地控制設(shè)備的投資成本。
此外，一種類型的電子熔絲，也就是銅熔絲，可以使用制造工藝中常用類型的銅布線工藝。除了上述的優(yōu)勢外，還具備以下的優(yōu)勢。
c）無需在生產(chǎn)線上增加額外的工序，有助于控制成本。
d）銅布線可以繼續(xù)用于未來的超精細(xì)制造工藝，因此，在引入新的超精細(xì)工藝時可以降低開發(fā)成本。

不過，切斷銅熔絲的電流技術(shù)還存在以下問題。
（A）低介電系數(shù)材料是一種易碎材料*3，熔絲上可能發(fā)生開裂。
（B）銅可能被迫進(jìn)入裂縫中，導(dǎo)致熔絲區(qū)域出現(xiàn)空隙。
（C）如果熔絲是在這種條件下切斷，如上所述，裂縫中的銅就會使布線短路。這種熔絲區(qū)域上的布線線跡的連接是不能容忍的。

這個問題成為了進(jìn)一步縮小芯片尺寸的障礙。因此，在努力實現(xiàn)更加精細(xì)的制造工藝時，找到防止低介電系數(shù)材料開裂的方法就成為了一個重要的課題。

<技術(shù)細(xì)節(jié)>
在這個背景下，瑞薩科技開發(fā)出了一種用于65nm工藝的高度可靠的銅熔絲技術(shù)，在熔絲切斷時，不會引起低介電系數(shù)材料的開裂。
下面描述了這種新開發(fā)的技術(shù)。

1）抑制熔絲和低介電系數(shù)材料之間熱應(yīng)力的技術(shù)
在非常短的時間內(nèi)施加一個大電流是可靠地切斷熔絲的一種有效方法，但是這種方法有可能造成低介電系數(shù)材料的開裂。發(fā)生開裂的過程如下。

（a）當(dāng)電流流過熔絲時，其溫度會突然（在100ns內(nèi)）升至大約500℃。
（b）然而，低介電系數(shù)材料的導(dǎo)熱效果很差，所以其溫度的提升比較緩慢。
（c）因此，熔絲和低介電系數(shù)材料之間的溫度差額會突然增加，出現(xiàn)熱應(yīng)力。
（d）這種應(yīng)力特別集中在熔絲之上的區(qū)域，而這正是使低介電系數(shù)材料發(fā)生開裂的地方。
為了解決這個問題，瑞薩科技用1.2V晶體管代替3.3V晶體管，來提供切斷熔絲的電流。

早期的3.3V晶體管在廣泛的飽和區(qū)*4 具有電流-電壓特性（I-V特性），所以當(dāng)熔絲電阻隨溫度上升而增加時，電流仍然保持恒定。不過，由于阻值是隨著熔絲溫升而增加的，就會產(chǎn)生大量的熱（電流2