結(jié)合目前世界上所有AMOLED生產(chǎn)廠家的實(shí)際情況，以及我們上面對幾種技術(shù)的比較和分析，我們認(rèn)為廣東省當(dāng)前在TFT基板技術(shù)上應(yīng)采用低溫多晶硅技術(shù)(LTPS)技術(shù)，采用激光晶化方式。同時鼓勵金屬誘導(dǎo)方式的發(fā)展，如果能夠在金屬誘導(dǎo)方面取得突破，也可以作為一個技術(shù)方向。

(5)、有機(jī)膜蒸鍍技術(shù)路線選擇

有機(jī)層形成方式，可分為傳統(tǒng)方式和新型方式。傳統(tǒng)方式是以氣相沉積技術(shù)為基礎(chǔ)的，而新興方式是以轉(zhuǎn)印和印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的。

新興方式中轉(zhuǎn)印技術(shù)由三星和3M聯(lián)合開發(fā)和研制;印刷技術(shù)主要由愛普生開發(fā)和研制。這兩種方法最大的優(yōu)點(diǎn)是提高材料使用率和簡化生產(chǎn)制程，但其技術(shù)和材料具有一定的壟斷性，目前還不具備量產(chǎn)的能力。

傳統(tǒng)的氣相沉積方法也就是我們通常所講的CVD，對于有機(jī)材料的蒸發(fā)，按照蒸發(fā)源的不同和蒸發(fā)方式的不同又分為點(diǎn)源式、線源式及OVPD(有機(jī)氣相沉積)。

OVPD是由德國愛思強(qiáng)公司研發(fā)，該工藝設(shè)計改進(jìn)了可生產(chǎn)性，相對于蒸鍍技術(shù)可以降低制造成 本。具有優(yōu)越的重復(fù)性和工藝穩(wěn)定性以及顯著的膜層均勻性和摻雜的精確控制，為高良率批量生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)，同時減少了維護(hù)和清潔要求，從而降級了材料消耗，具有提高材料利用率的巨大潛力。

OVPD方式具有較好的優(yōu)越性，由非OLED生產(chǎn)商研制，面向廣大的OLED生產(chǎn)商，是業(yè)界較為看好的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。但是該設(shè)備目前存在兩個問題：

1)目前成熟的設(shè)備僅可以制作370×470的尺寸，還無法滿足大尺寸生產(chǎn)的要求。

2)該設(shè)備目前對單色器件有較好的可靠性，但全彩的穩(wěn)定性還不夠理想。

鑒于以上的分析，我們只能采用點(diǎn)源或線源的蒸鍍方式。目前來看，點(diǎn)源技術(shù)日本TOKKI公司較為優(yōu)秀，線源技術(shù)日本ULVAC公司較為優(yōu)秀。宏威公司也可以在這方面加以努力。

(6)、光射出方式技術(shù)路線選擇

目前OLED器件有兩種光出射方式：底發(fā)光和頂發(fā)光，下表是這兩種方式的對比：

底發(fā)光技術(shù)工藝成熟，選擇風(fēng)險小，甚至沒有風(fēng)險。頂發(fā)光制作工藝有兩個難點(diǎn)，一是陰極制作，另一個就是封裝方式。盡管頂部發(fā)光困難尚存，但已是趨勢所在(最少在背板材料沒有新的突破下)。但從長遠(yuǎn)看，如果背板材料有了新的突破，如遷移率和均勻性得到質(zhì)的改善，那么底發(fā)光就有更低成本的優(yōu)勢?？傮w而言，采用a-Si背板，頂發(fā)光是較好的選擇;P-Si背板就可以考慮底發(fā)光方式。