如何降低D類音頻應(yīng)用中的電磁干擾
圖2表示出LM48310的EMI性能。LM48310在完全未經(jīng)濾波的情況下通過(guò)了FCC的B級(jí)標(biāo)準(zhǔn),并用一條12英寸長(zhǎng)的無(wú)掩蔽雙絞線來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)揚(yáng)聲器。 圖3表示出純擴(kuò)展頻譜器件在同一測(cè)試中的結(jié)果。正如圖中所示,美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的E2S D類放大器可達(dá)到極低的EMI水平,同時(shí)可保持優(yōu)越的音頻性能。本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/166962.htm
圖4. LM48310示范板的絲網(wǎng)印刷圖。
D類技術(shù)的最新發(fā)展顯著減低了由D類放大器放射出來(lái)的EMI,但至于在射頻(RF)干擾方面,適當(dāng)?shù)挠∷㈦娐钒逶O(shè)計(jì)同樣可大大降低放射量。毫無(wú)疑問(wèn),這是一個(gè)浩瀚的課題,而相關(guān)的文章也多如恒河沙數(shù),但在這里仍值得討論一下有關(guān)降低噪聲和EMI的基本方法。首先,將帶有開(kāi)關(guān)信號(hào)的跡線隔離,從而可有效減少耦合到電路敏感部分的噪聲。這個(gè)方法不單可加強(qiáng)音頻性能,而且還可將產(chǎn)生寄生天線的機(jī)會(huì)降到最低。此外,也需要將模擬輸入、模擬電源(供電給輸入緩沖器、控制和其他敏感電路)和它們相關(guān)的旁路電容器從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)隔離,這包括器件輸出、輸出橋路電源和任何與這些節(jié)點(diǎn)相關(guān)的外部元件。
圖5. LM48310示范板的頂層。
然而,不少D類放大器均擁有多個(gè)電源和接地,一個(gè)用在低噪聲和輸入電路,而另一個(gè)則用在較大電流和帶噪聲的輸出級(jí)。假如個(gè)別電源和接地間的電位差太大,那器件便不能正常運(yùn)行??墒?,當(dāng)器件在隔離印刷電路板的噪聲區(qū)和寧?kù)o區(qū)運(yùn)行時(shí),要確保器件保持正常的電位差是一件非常艱巨的任務(wù)。圖6所示為如何在隔離信號(hào)與功率接地的同時(shí)為器件保持統(tǒng)一的電位。由于所有的個(gè)別接地節(jié)點(diǎn)都連接到同一個(gè)覆銅(cupper pour),該布局與星形接地的連接方式類似,使這些點(diǎn)上的接地電位保持一致。不過(guò),嘈雜接地與無(wú)噪聲接地本身是分隔開(kāi)的,只有在接地進(jìn)入電路板時(shí)才會(huì)連接在一起。這種方法可防止器件所產(chǎn)生出的噪聲污染無(wú)噪聲接地。圖7所示相同的原理應(yīng)用到VDD層上。電路板的左半邊包括模擬音頻輸入、VDD和輸入耦合電容器C1和C2。電路板的右半邊包括輸出、PVDD (H橋電源)和旁路電容器C3。
圖6. LM48310示范板的接地層。
VDD層和接地層只有在電源或接地進(jìn)入電路板時(shí)才會(huì)連接在一起。從這點(diǎn)上兩個(gè)層面會(huì)分離,而寧?kù)o節(jié)點(diǎn)會(huì)持續(xù)與開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)隔離。這種技術(shù)可有效防止開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)入寧?kù)o區(qū),以免影響性能或增加EMI。
圖7. LM48310示范板的Vdd層。
基于其高效率的特性,D類放大器己成為便攜和功耗敏感應(yīng)用的最佳音頻放大器選擇。在音頻質(zhì)量和EMI性能方面的改進(jìn)方面,使用D類放大器使得設(shè)計(jì)的工作變得更簡(jiǎn)易。再者,較寬松的PCB布線技術(shù)和比較少的外部元件都可將設(shè)計(jì)周期縮短,并縮小系統(tǒng)尺寸和降低成本,在不影響音質(zhì)的前提下延長(zhǎng)便攜產(chǎn)品的電池壽命。
評(píng)論