按照表1的計算，對于300mA的系統(tǒng)，F(xiàn)AN5362能把功耗降至55mW；對于400mA的系統(tǒng)，F(xiàn)AN5362能將功耗降至101mW。這些效率值根據(jù)所測得的FAN5362效率曲線而獲得。圖5顯示了AutoPFM (實線) 和 ForcePWM (虛線)的效率曲線。在優(yōu)化FAN5362效率的同時，選擇3MHz作為額定開關(guān)頻率，因為它能夠提供尺寸和效率之間的最佳權(quán)衡。從表1可看出，對于這種功耗敏感應(yīng)用，采用6MHz開關(guān)頻率時的功耗遠遠大于采用3MHz開關(guān)頻率時的功耗。

　　圖5：FAN5362 效率與負載電流的關(guān)系，AutoPFM為實線 ， ForcePWM為虛線。

　　雖然選擇一個降壓轉(zhuǎn)換器來取代LDO似乎意義不大，但考慮到降壓轉(zhuǎn)換器必須能在極高占空比下工作，這就變得十分重要了。如果降壓轉(zhuǎn)換器的輸出設(shè)定為2.9V，電池電壓低到3.3V，降壓轉(zhuǎn)換器在88%的占空比下工作。在某些負載和輸入電壓條件下，降壓轉(zhuǎn)換器甚至會被迫停止開關(guān)，并在100%占空比下工作。若手機開始發(fā)射GSM脈沖，在低電池電壓(VVBAT)情況下，這種情形會變得更加嚴重。GSM脈沖可能高至2A，而且在這些脈沖期間，鋰離子電池的輸出阻抗會使電池電壓下降400mV。對LDO而言， VVBAT的突然下降是有益的，因為LDO總是工作在線性區(qū)域。但對降壓轉(zhuǎn)換器，情況就不同了，因為它們必須逐漸從開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?00%導通，一旦電池電壓回到3.3V，就再一次回到開關(guān)狀態(tài)。在這個期間，高側(cè)器件完全導通，降壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓僅為VVBAT– RDS(ON) *I – DCR*I，其中RDS(ON)是高側(cè)FET的導通阻抗，DCR是電感的串行阻抗，I是存儲器負載電流。

　　FAN5362經(jīng)過專門設(shè)計以處理上述最小過沖/下沖。此外，F(xiàn)ET的控制機制和RDS(ON) 也經(jīng)過精心設(shè)計，以確保輸出電壓絕不低于2.7V，甚至包括了線路和負載瞬態(tài)響應(yīng)。對存儲器來說，這點至關(guān)重要，因為SD規(guī)范2.0版要求工作電壓范圍在2.7至3.6V之間。

　　雖然工藝幾何尺寸的進步滿足了對超緊湊型、低價SD存儲器的需求，但這種大容量器件也帶來了功耗問題。利用專門針對這類應(yīng)用而設(shè)計的降壓轉(zhuǎn)換器FAN5362等產(chǎn)品來替代目前的LDO，可以解決這一難題。圖6是完整的FAN5362功率解決方案的典型原理示意圖和PCB版圖。（飛兆半導體）

　　圖6：FAN5362的典型原理示意圖及PCB版圖。