時，IC內(nèi)的控制電路開始起動，Vin端口上的輸入電流Iin由100μA突升到30mA，電容C909來不及供電而使Vin下降。如果此時由驅(qū)動繞組D1所提供的DC電壓足夠的話，Vin將不致于掉到仃振閾值11V以下，則IC繼續(xù)工作起動成功。驅(qū)動繞組D1的圈數(shù)須保證經(jīng)整流后在C909上電壓超過11V，同時又要低于20.5V。因為Vin大于20.5V則過壓保護(hù)電路起作用，Vin小于10V時則欠壓保護(hù)電路起作用。一般Vin取18V是較合適的。

　　關(guān)于R902及C909的選值要適當(dāng)。R902、C909太大均會使IC起動時間t1t0延長。但C909亦不能過小，否則在驅(qū)動繞組電壓到來之前它已不能維持IC動作，這樣就不能順利起動。一般對寬電源(90～270)VAC電壓C909取(47～100)μF，R902取47kΩ～68kΩ是合適的，對窄電源（200VAC），R902可取82k～150k。在本例子中，當(dāng)R902=82kΩ，C909=47μF，輸入電壓為90V時，其開機(jī)起動時間為1.3μs左右。

22內(nèi)部振蕩器，穩(wěn)壓原理和過流保護(hù)

　?。?）內(nèi)部振蕩器

　　IC內(nèi)部振蕩器是通過對C1的充放電而形成振蕩脈沖的，放電時間常數(shù)C1R1(≈50μs)決定了MOSFET的關(guān)斷時間。在PRC運(yùn)用模式中，穩(wěn)壓是由固定toff而變化ton來達(dá)到的。圖4示出了當(dāng)沒有穩(wěn)壓控制信號輸入時，內(nèi)部振蕩器的工作波形。由圖5波形可見，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，電容C1被充電到6.5V。同時漏極電流ID逐步上升，在R5上形成一鋸齒形狀電壓VR5。VR5通過R4后幾乎無損失地加到IC的①腳OCP/FB端口。當(dāng)①腳電壓V1達(dá)到閾值Vth1≈0.73V時，比較器1開始動作，它使振蕩器輸出反相，并通過驅(qū)動級將MOSFET關(guān)斷。此后C1通過電阻R1放電，C1兩端電壓按恒定的放電時間常數(shù)C1R1線性下降。當(dāng)它降到3.7V左右時，振蕩器輸出再次反相，使MOSFET重新導(dǎo)通，C1電壓再次跳升到6.5V。如此不斷重復(fù)上述過程。

　　由上述可知，MOSFET的導(dǎo)通持續(xù)時間ton是由VR5的上升斜率決定的，而toff在PRC模式中則由C1R1決定。

　　（2）穩(wěn)壓原理

　　如圖5所示，為了控制輸出，光耦合器的誤差信

圖4無穩(wěn)壓控制信號輸入時之振蕩波形

圖5有穩(wěn)壓控制信號作用下的振蕩波形

圖6導(dǎo)通期間的V1波形

圖7截止期間的準(zhǔn)諧振信號