AM-OLED顯示驅(qū)動芯片中內(nèi)置SRAM的設(shè)計
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圖3所示是采用低功耗位線技術(shù)的改進型SRAM的結(jié)構(gòu)圖。該電路結(jié)合單端輸出來得到SRAM的電路結(jié)構(gòu)。該電路與傳統(tǒng)電路的兩個不同之處：一是寫驅(qū)動電路采用單邊驅(qū)動結(jié)構(gòu)，且增加了一個平衡管來防止數(shù)據(jù)丟失。而在寫操作時，只需對一邊位線下拉到低電平來寫入數(shù)據(jù)，另一邊位線浮空；二是預(yù)充電路只在讀操作時充電，在寫操作時不充電。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/166194.htm
圖4所示是新SRAM結(jié)構(gòu)電路的工作時序圖。該電路在讀操作時，Prech變低，預(yù)充電路位線充電到高電平，字線變高，位線BLB通過存儲管放電到低電位，讀取電路讀BLB上電壓信號，數(shù)據(jù)讀出；而在寫操作時，先平衡位線電位，以防止數(shù)據(jù)丟失。假設(shè)原來存儲管里存儲的是“0”，要向其中寫入數(shù)據(jù)“1”，則寫使能信號Wen先從低電平變到高電平，此時D為高電平，D’為低電平，MN1管導(dǎo)通，MN2截止，位線BL懸空，位線BLB被拉到低電平，字線變高，傳輸管導(dǎo)通，以便向存儲管里寫入數(shù)據(jù)“1”。
在字線變高時，同字線上的其它單元的位線BL、BLB會通過存儲管里的上拉PMOS管和下拉NMOS管充放電到一定電位。為了防止在寫操作時位線充放電過多而導(dǎo)致浪費，可減小字線選擇信號的脈寬，以縮短對位線的充電時間。
3 仲裁器模塊設(shè)計
仲裁器電路分為仲裁和時序產(chǎn)生等兩部分，其中仲裁部分處理MCU送來的讀寫請求和顯示控制器送來的讀請求信號，并判斷它們的優(yōu)先級別，然后把請求信號送入時序產(chǎn)生電路。時序產(chǎn)生電路負(fù)責(zé)產(chǎn)生sram模塊的控制信號。
3．1 仲裁器電路
仲裁器模塊主要用來處理行掃描以及MCU讀寫產(chǎn)生的時序沖突問題，也就是在這兩個信號同時送過來時，先判斷它們的優(yōu)先級，同時將外部兩個并行操作信號轉(zhuǎn)化為內(nèi)部單端口SRAM的順序執(zhí)行，從而使兩種請求信號處于完全獨立的時間操作域內(nèi)，以減小內(nèi)置SRAM的面積。鑒于MCU讀寫速度大于顯示行掃描速度，MCU讀寫信號的優(yōu)先級別應(yīng)高于顯示讀信號。
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