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            EEPW首頁 > 消費(fèi)電子 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于LpLVDS和CTL技術(shù)的便攜產(chǎn)品I/O設(shè)計(jì)

            基于LpLVDS和CTL技術(shù)的便攜產(chǎn)品I/O設(shè)計(jì)

            作者: 時間:2011-05-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            具有低電磁干擾、高吞吐量、低功耗、抗噪聲干擾等特性的接口,將成為超和消費(fèi)市場的重要組成部分。本文將討論下一代的一些應(yīng)用,這種新的能把重新的風(fēng)險(xiǎn)降至最低,從而加快視頻基帶,并降低電磁干擾(EMI)和總體成本。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/166160.htm

              亞太地區(qū)(尤其是中國)的手機(jī)和設(shè)備市場是世界最大的市場。這些市場的競爭焦點(diǎn)不僅在于這類的成本和性能,而且在于它們投入市場的時間。在中國,本地手機(jī)供應(yīng)商占了總體市場過半。隨著中國手機(jī)制造商研發(fā)能力快速增長,他們能夠迅速在中采用無線射頻(RF)和基帶設(shè)計(jì)等新技術(shù),工程師和最終用戶對于能夠縮短設(shè)計(jì)周期、降低成本和改善系統(tǒng)性能的技術(shù)極感興趣。以下將要討論下一代技術(shù)的一些應(yīng)用。

              設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

              1、高數(shù)據(jù)吞吐量需要新的信令方案

              由于高端手機(jī)LCD顯示器的分辨率超過了SVGA(800×600),而翻蓋式電話中應(yīng)用處理器和LCD模塊之間的RGB數(shù)據(jù)吞吐量甚至超過750Mbps(XGA模式,60Hz刷新速度)?,F(xiàn)有的晶體管-晶體管邏輯(TTL)技術(shù)在基帶控制器和LCD模塊之間的高擺幅(0V至VCC)限制了邏輯轉(zhuǎn)換之間的信號數(shù)據(jù)吞吐量,特別是低電磁干擾要求對邊緣速率提出了限制。對于數(shù)據(jù)傳輸速率較高的TTL技術(shù),移動電話的翻蓋和機(jī)體之間的低帶寬柔性電纜也可能會增加誤碼率,以致需要返修和重新設(shè)計(jì)基帶,從而嚴(yán)重推遲上市時間。

              此外,由于下一代拍照手機(jī)具有三百萬像素以上的分辨率,RGB數(shù)據(jù)吞吐量(在快拍時被讀回至基帶處理器)進(jìn)一步把現(xiàn)有TTL技術(shù)推向極限。在所有這些因素下,業(yè)界需要一種新的信令方案來解決這類問題。

              圖1:各種接口信號技術(shù)的簡要比較以及技術(shù)在1Gbps速度下的眼圖

              2、電磁干擾和敏感性

              低電磁干擾幾乎成為所有手機(jī)設(shè)計(jì)人員普遍面對的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。由于具有較大的振幅,為了快速切換邏輯狀態(tài),傳統(tǒng)的TTL技術(shù)通常具有較高的邊緣速率,因而造成反射和電磁干擾問題。降低TTL信號的邊緣速率雖然可以減小反射和電磁干擾,但卻限制了數(shù)據(jù)吞吐量。這一問題在使用低帶寬柔性電纜發(fā)送信號的手機(jī)設(shè)計(jì)中更為明顯。為了達(dá)到更大的數(shù)據(jù)吞吐量,TTL邏輯的邊沿變化速率必須提高,但這也會造成更高的電流變化速率,并且會在一個較大的頻率段上引起更高的電磁干擾輻射。此外,在邏輯電平變換時發(fā)生的任何反射不僅會引起更多磁性輻射而且會增加誤碼率。對于手機(jī)設(shè)計(jì)而言,柔性電纜周圍的電磁干擾噪聲很大,因此需要更好的共模噪聲抑制能力,而這正是低電壓差分信令(LVDS)等差分信號技術(shù)的特點(diǎn)。


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