與無源元件相比，具有較低鉗位電壓的硅器件表現(xiàn)得更好。但是，有意思的是，同是硅保護(hù)器件，Semtech的Railclam技術(shù)和安森美半導(dǎo)體的“集成ESD保護(hù)”技術(shù)也有著重要差別。用以實現(xiàn)每種類型技術(shù)的設(shè)計技術(shù)能夠確定它們對ESD脈沖鉗位得怎樣。許多用于降低電容的設(shè)計技術(shù)伴隨著具有較高ESD鉗位電壓的折衷。為了克服這個設(shè)計折衷而不犧牲鉗位電壓性能，安森美半導(dǎo)體運用突破性的工藝技術(shù)，將超低電容引腳二極管和大功率瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管集成到單個裸片上，能夠用作高性能的片外ESD保護(hù)解決方案。這新型集成ESD保護(hù)技術(shù)平臺保持了傳統(tǒng)TVS二極管技術(shù)極佳的鉗位和低泄漏性能，同時還將電容降低至0.5pF。這在鉗位性能方面領(lǐng)先業(yè)界，可確保最敏感集成電路的保護(hù)。