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      東芝針對(duì)移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

      作者: 時(shí)間:2013-08-27 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        高功耗封裝陣容擴(kuò)大

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/164325.htm

        東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布,該公司已經(jīng)為和平板電腦等的高電流充電電路的開(kāi)關(guān)推出了超緊湊型,包括兩種電池。

        隨著更多功能添加至和手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等以及對(duì)它們的電池提出更多要求,公司不斷顯著增加充電電流來(lái)縮短充電時(shí)間,以提高電荷密度和改善用戶(hù)體驗(yàn)。新的超緊湊型“SSM6J781G”和“SSM6J771G”是高功耗封裝的高電流陣容的最新成員。即日起開(kāi)始批量生產(chǎn)和出貨。

        應(yīng)用

        和手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等的高電流充電開(kāi)關(guān)。

        推薦電路

        高端開(kāi)關(guān)(P溝道)
        結(jié)合升壓控制LSI的高端開(kāi)關(guān)(N溝道)
        低端電池保護(hù)的控制開(kāi)關(guān)(N溝道)

        主要特性

        ♦ 高電流
        ♦ 低導(dǎo)通電阻
        ♦ 低電容
        ♦ 小型封裝(1.5 x 1.0mm;WCSP6C)
        ♦ 高功耗

        主要規(guī)格

      N溝道
      產(chǎn)品型號(hào) VDSS
      (V)
      VGSS
      (V)
      ID(DC)
      (A)
      RDS(ON)典型值(mΩ) PD
      (W)
      VGS=2.5V VGS=-4.5V
      SSM6K781G 12 ±8 7 17.9 14.4 1.2
      P溝道MOSFET
      產(chǎn)品型號(hào) VDSS
      (V)
      VGSS
      (V)
      ID(DC)
      (A)
      RDS(ON)典型值(mΩ) PD
      (W)
      VGS = -4.5V VGS = -8.55V
      SSM6J771G -20 ±12 -5 26 23 1.2



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