基于IR21844的電機驅動控制系統(tǒng)
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顯然每個周期T1開關一次，C2就通過T2開關充電一次，因此自舉電容C2的充電還與輸入信號IN的PWM脈沖頻率和脈沖寬度有關。當PWM工作頻率過低時，若T1導通脈寬較窄，自舉電壓8．3 V容易滿足；反之，無法實現(xiàn)自舉。因此，要合理設置PWM開關頻率和占空比調節(jié)范圍，C2的容量選擇考慮如下幾點：
①PWM開關頻率高，C2應選小電容。
②盡量使自舉上電回路不經大阻抗負載，否則應為C2充電提供快速充電通路。
③對于占空比調節(jié)較大的場合，特別是在高占空比時，T2導通時間較短，C2應選小電容。否則，在有限時間內無法達到自舉電壓。
④C2的選擇應綜合考慮PWM變化的各種情況，監(jiān)測H()、VS腳波形進行調試是最好的方法。
根據(jù)表1，VB高于VS電壓的最大值為20 V，為了避免VB過電壓損壞IR21844，電路中增加了穩(wěn)壓二極管D1。電路中D2的功能是防止T1導通時高電壓串入VCC端損壞該芯片，因此其耐壓值必須高于總線峰值電壓，故采用功耗小的快恢復二極管。與VCC端相連的電容C3是去耦電容，用于補償電源線的電感。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/163986.htm
3 場效應管驅動電路的改進
如圖2所示，典型應用電路是由IR21844驅動2個N溝道MOSFET管或IGBT組成的半橋驅動電路。固定的柵極參考輸出通道(L0)用于下端連接的功率場效應管T2，浮動的柵極輸出通道(HO)用于上端連接的功率場效應管T1。
以驅動N溝道MOSFET管為例來介紹。功率MOS―FET是電壓型驅動器件，沒有少數(shù)載流子的存儲效應，輸入阻抗高，因而開關速度可以很高，驅動功率小，電路簡單。但功率MOSFET的極間電容較大，其等效電路如圖4所示。
輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反饋電容Crss與極間電容的關系可表示為：
IR21844不能產生負偏壓，如果用于驅動橋式電路，由于極間電容的存在，在開通和關斷時刻，柵漏極間的電容CGD有充放電電流，容易在柵極上產生干擾。針對這一不足，可以在柵極限流電阻(R1和R2)上分別反并聯(lián)一個二極管(D3和D4)來解決，該二極管可以加快極間電容上的電荷的放電速度。
功率器件的柵源極的驅動電壓一般為CM()S電平(5～20 V)，因此要在柵極增加保護電路。電路中穩(wěn)壓二極管D5、D6限制了所加柵極電壓，電阻R1、R2進行分壓，同時也降低了柵極電壓。
功率器件T1、T2在開關過程中會產生浪涌電壓，這些浪涌電壓會損壞元件，所以電路中采用穩(wěn)壓二極管D5、D6鉗位浪涌電壓。
4 擴展與總結
以上介紹的是IR21844用于驅動單相電路時的用法和注意事項，同樣，該芯片完全可以用于驅動兩相、三相或者多相電路?？蓪⒃撾娐愤M行復制，當然一些參數(shù)的確定還需要按照本文的分析和具體的實際情況而定。
由于該芯片只有一路輸入，兩路互補輸出，非常適合用于驅動橋式電路；并且它的死區(qū)時間可以靈活調節(jié)，輸出鎖定端可以靈活用于電流的閉環(huán)控制，給控制的沒計帶來了很大的方便，因此在中小型功率領域應用比較廣泛。
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